TPS65219-Q1 總共提供了四個線性穩(wěn)壓器，其中 LDO1 和 LDO2 具有相同特性，LDO3 和 LDO4 具有相同特性。

LDO1 和 LDO2：400mA，0.6V -3.4V

LDO1 和 LDO2 都是通用 LDO，旨在為 SOC 或外設(shè)上的模擬電路提供電源。LDO 的輸入電壓范圍為 1.5V 至 5.5V，可直接連接到系統(tǒng)電源或降壓轉(zhuǎn)換器的輸出。輸出電壓可在 0.6V 至 3.4V 范圍內(nèi)以 50mV 階躍進(jìn)行編程。兩個 LDO 均支持高達(dá) 400mA 的電流。這些 LDO 可配置為旁路模式，充當(dāng)負(fù)載開關(guān)。如果配置為旁路模式，仍需要在 LDOx_VOUT 寄存器中指定所需的輸出電壓。這些 LDO 還支持在使能時改變輸出電壓，從而支持 SD 卡 IO 電源等功能，在初始化后從 3.3V 變?yōu)?1.8V，無論是在電源電壓高于 3.3V 的 LDO 模式下，還是在 3.3V 電源下在旁路模式和 LDO 模式之間切換均是如此。這些 LDO 還支持負(fù)載開關(guān)模式 (LSW_mode)：在這種情況下，支持 1.5V 至 5.5V 的輸出電壓。不需要在 LDOx_VOUT 寄存器中配置所需的電壓。

• 在 SD 卡供電的情況下，其中一個 LDO 可由配置為 VSEL_SD 的 VSEL_SD/VSEL_DDR 控制。由 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_RAIL 位選擇控制哪個 LDO。引腳的極性可以通過 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_SD_POLARITY 位進(jìn)行配置。

  或者，與 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_SD_I2C_CTRL 的 I2C 通信控制輸出電壓變化。因此，即使 VSEL_SD/VSEL_DDR 引腳配置為 VSEL_DDR，仍需要配置 VSEL_RAIL 位來定義哪個 LDO 受 I2C 命令影響。

• 這些 LDO 可配置為線性穩(wěn)壓器，或者在旁路模式下運行，或者配置為負(fù)載開關(guān)（LSW 模式）。此模式通過 LDOx_VOUT 寄存器中的 LDOx_LSW_CONFIG 和 LSW_BYP_CONFIG 位配置。

輸出電容要求

• 在 LDO 模式下，需要 1.6μF 的最小電容，并且支持 20μF 的最大總負(fù)載電容（輸出濾波器和負(fù)載點組合）
• 在 LSW 或旁路模式下，需要 1.6μF 的最小電容，并且支持 50μF 的最大總電容（輸出濾波器和負(fù)載點組合）

LDO3 和 LDO4：300mA，1.2V -3.3V

LDO3 和 LDO4 都是通用 LDO，旨在為 SOC 或外設(shè)上的模擬電路提供電源。LDO 的輸入電壓范圍為 2.2V 至 5.5V，可直接連接到系統(tǒng)電源或降壓轉(zhuǎn)換器的輸出。請注意，這些 LDO 需要在 VSYS 和 LDO 輸出電壓之間留出最小 150mV 的余量。輸出電壓可在 1.2V 至 3.3V 范圍內(nèi)以 50mV 階躍進(jìn)行編程。兩個 LDO 均支持高達(dá) 300mA 的電流。LDO 可配置為充當(dāng)負(fù)載開關(guān)。在這種情況下，支持 2.2V 至 5.5V 的輸出電壓。不需要在 LDOx_VOUT 寄存器中配置所需的電壓。

這些 LDO 支持具有有限輸出電容的快速斜坡模式和慢速斜坡模式，從而允許更大的總負(fù)載電容。

輸出電容要求

• 對于慢速斜坡 LDO 模式或 LSW 模式，需要 1.6μF 的最小電容，并且支持 30μF 的最大總電容（輸出濾波器和負(fù)載點組合）
• 對于快速斜坡 LDO 模式或 LSW 模式，需要 1.6μF 的最小電容，并且支持 15μF 的最大總電容（輸出濾波器和負(fù)載點組合）

LDO1、LDO2、LDO3 和 LDO4

• 處于 ACTIVE 狀態(tài)的 LDO 的開/關(guān)狀態(tài)由 ENABLE_CTRL 寄存器中相應(yīng)的 LDOx_EN 位控制。
• 處于 STBY 狀態(tài)的 LDO 的開/關(guān)狀態(tài)由 STBY_1_CONFIG 寄存器中相應(yīng)的 LDOx_STBY_EN 位控制。
• 在 INITIALIZE 狀態(tài)下，無論位設(shè)置如何，LDO 都會關(guān)閉。

• 每個 LDO 都可以配置為線性穩(wěn)壓器或負(fù)載開關(guān)（LSW 模式）。LDO1 和 LDO2 也可以在旁路模式下工作。該模式由每個穩(wěn)壓器的 LDOx_VOUT 寄存器中的 LDOx_LSW_CONFIG 和 LSW_BYP_CONFIG 位單獨配置。
  警告： 只有在禁用穩(wěn)壓器后，才能在 LDO（/旁路）和 LSW 模式之間進(jìn)行模式切換！

  （穩(wěn)壓器運行期間支持在 LDO 和旁路模式之間進(jìn)行模式切換（僅 LDO1 和 LDO2 支持）。）

• LDO 具有有源放電功能。每當(dāng) LDOx 被禁用時，輸出就會放電到地?？梢栽?DISCHARGE_CONFIG 寄存器中為每個電源軌單獨禁用放電功能。
• 在（從 INITIALIZE 狀態(tài)或 STBY 狀態(tài)）進(jìn)入 ACTIVE 狀態(tài)的某個序列之前，無論放電配置如何，該器件都會使禁用的電源軌放電，以避免出現(xiàn)預(yù)偏置輸出。
• 如果通過 I2C 命令啟用了電源軌，則不會強(qiáng)制執(zhí)行有源放電，但僅當(dāng)輸出電壓低于 SCG 閾值時才會啟用電源軌。
• 該寄存器不受 EEPROM 支持，并且會在器件進(jìn)入 OFF 狀態(tài)時復(fù)位。
• 處于 INITIALIZE 狀態(tài)（在復(fù)位期間或 I2C-OFF 請求期間）時，不會復(fù)位放電配置。注意：如果禁用放電功能，則可能違反斷電序列

LDO 故障處理

• TPS65219-Q1 會檢測 LDO 輸出上的欠壓。對欠壓檢測的反應(yīng)取決于 INT_MASK_LDOS 寄存器中 LDOx_UV_MASK 位的配置和 INT_MASK_BUCKS 寄存器中 MASK_EFFECT 位的配置。如果未屏蔽，器件將在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，并在 INT_LDO_1_2 或 INT_LDO_3_4 寄存器中設(shè)置 LDOx_UV 位。

  在電壓轉(zhuǎn)換期間（上電時或通過切換 VSEL_SD 引腳或 I2C 命令觸發(fā)），器件默認(rèn)會消隱欠壓檢測，并在電壓轉(zhuǎn)換完成時激活欠壓檢測。

  如果器件在（從 INITIALIZE 或 STBY 狀態(tài)）進(jìn)入 ACTIVE 狀態(tài)的序列期間檢測到欠壓且 UV 未被屏蔽，則斷電序列會在當(dāng)前時隙結(jié)束時開始。

  如果器件在 ACTIVE 狀態(tài)或 STBY 狀態(tài)下檢測到欠壓且 UV 未被屏蔽，則斷電序列會立即啟動。OC 檢測不可屏蔽。

  警告： 如果 LDO 配置為旁路模式或 LSW 模式，則不支持 UV 檢測。
• TPS65219-Q1 在 LDO 輸出上提供電流限制。如果 PMIC 檢測到過流的時間為 t_{DEGLITCH_OC_short} 或 t_{DEGLITCH_OC_long}（可通過 OC_DEGL_CONFIG 寄存器中的 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDOx 對每個電源軌單獨配置；僅適用于上升沿），該器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，并在 INT_LDO_1_2 或 INT_LDO_3_4 寄存器中設(shè)置 LDOx_OC 位。受影響的電源軌將立即被禁用。

  在電壓轉(zhuǎn)換期間（上電時或通過切換 VSEL_SD 引腳或由 I2C 命令觸發(fā)），過流檢測將被消隱，并在電壓轉(zhuǎn)換完成時激活。

  如果在（從 INITIALIZE 狀態(tài)或 STBY 狀態(tài)）進(jìn)入 ACTIVE 狀態(tài)的序列期間發(fā)生過流，器件會立即禁用受影響的電源軌并在當(dāng)前時隙結(jié)束時啟動斷電序列。

  如果在 ACTIVE 狀態(tài)或 STBY 狀態(tài)下發(fā)生過流，器件會立即禁用受影響的電源軌并啟動斷電序列。

  OC 檢測不可屏蔽，但抗尖峰脈沖時間是可配置的。強(qiáng)烈建議使用 t_{DEGLITCH_OC_short}。長時間過流可能會加劇老化或增大恢復(fù)時過沖。
  

• TPS65219-Q1 會檢測 LDO 輸出上的接地短路 (SCG) 故障。對檢測到 SCG 事件的反應(yīng)是在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，以及在 INT_LDO_1_2 寄存器或 INT_LDO_3_4 寄存器中設(shè)置 LDOx_SCG 位。受影響的電源軌立即被禁用。該器件會定序關(guān)閉所有輸出并轉(zhuǎn)換至 INITIALIZE 狀態(tài)。

  SCG 檢測不可屏蔽。

  如果啟用了某個電源軌，器件最初會消隱 SCG 檢測，以允許該電源軌斜升到 SCG 閾值以上。
  

• TPS65219-Q1 會檢測 LDO 輸出上的殘余電壓 (RV) 故障。對 RV 事件檢測的反應(yīng)是在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_RV_IS_SET 位以及在 INT_RV 寄存器中設(shè)置 LDOx_RV 位。RV 檢測不可屏蔽，但可以通過 INT_MASK_WARM 寄存器中的 MASK_INT_FOR_RV 為所有電源軌全局配置 nINT 反應(yīng)。無論是否屏蔽，器件都會設(shè)置 LDOx_RV 標(biāo)志，只有在斷言 nINT 時才設(shè)置 INT_RV_IS_SET 位。故障反應(yīng)時間和潛在的狀態(tài)轉(zhuǎn)換取決于檢測到故障時的情況：
  • 如果器件在 INITIALIZE 狀態(tài)下 ON 請求期間檢測到殘余電壓，PMIC 柵極會上電并且器件保持在 INITIALIZE 狀態(tài)。如果檢測到 RV 條件的時間超過 4ms 至 5ms，器件會設(shè)置 LDOx_RV 位，但只要 RV 條件存在，就會保持在 INITIALIZE 狀態(tài)。如果 RV 條件不再存在，并且 ON 請求仍然有效，器件將轉(zhuǎn)換為 ACTIVE 狀態(tài)。
  • 如果器件在上電、ACTIVE_TO_STANDBY 或 STANDBY_TO_ACTIVE 序列期間檢測到殘余電壓，則序列會中止，器件會斷電。
  • 如果在請求退出 STBY 狀態(tài)期間，器件檢測到在 STBY 狀態(tài)期間被禁用的任何電源軌上的殘余電壓超過 80ms，器件會轉(zhuǎn)換至 INITIALIZE 狀態(tài)。如果該情況持續(xù) 4ms 至 5ms 但少于 80ms，器件會設(shè)置 LDOx_RV 位。
  • 如果器件在上電、ACTIVE_TO_STANDBY 或 STANDBY_TO_ACTIVE 序列期間檢測到殘余電壓，則序列會中止，器件會斷電。
  • 如果器件在 I2C 對電源軌執(zhí)行 EN 命令期間檢測到殘余電壓，則會立即設(shè)置 LDOx_RV 位，但不會發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)換。
• LDO 有一個局部過熱傳感器。對溫度警告的反應(yīng)取決于 INT_MASK_BUCKS 寄存器中相應(yīng) SENSOR_x_WARM_MASK 位和 MASK_EFFECT 位的配置。如果傳感器上的溫度超過 T_{WARM_Rising} 且未被屏蔽，器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_SYSTEM_IS_SET 位并在 INT_SYSTEM 寄存器中設(shè)置 SENSOR_x_WARM 位。如果傳感器檢測到溫度超過 T_{HOT_Rising}，則轉(zhuǎn)換器功率耗散和結(jié)溫將超出安全工作值。器件會立即將所有有效輸出斷電，并在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置 INT_SYSTEM_IS_SET 位并在 INT_SYSTEM 寄存器中設(shè)置 SENSOR_x_HOT 位。一旦溫度降至 T_{WARM_FAlling} 閾值以下（或在 T_WARM 被屏蔽的情況下低于 T_{HOT_FAlling} 閾值），TPS65219-Q1 便會自動恢復(fù)。_HOT 位保持設(shè)置狀態(tài)并需要通過寫入“1”來清零。HOT 檢測不可屏蔽。