ZHCSJU6C March 2019 – October 2019 TPS23881
PRODUCTION DATA.
命令 = 00h，帶 1 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，只讀
高電平有效，每個(gè)位對(duì)應(yīng)于發(fā)生的特定事件。通過(guò)在相應(yīng)的事件寄存器地址進(jìn)行讀取或通過(guò)對(duì)復(fù)位寄存器的第 7 位進(jìn)行置位，可以單獨(dú)復(fù)位每個(gè)位。
如果對(duì)中斷屏蔽寄存器 (01h) 中相應(yīng)的屏蔽位進(jìn)行置位以及對(duì)通用屏蔽寄存器中的 INTEN 位進(jìn)行置位，則中斷寄存器的有效位將激活 INT 輸出。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| SUPF | STRTF | IFAULT | CLASC | DETC | DISF | PGC | PEC |
| R-1 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 |
| 說(shuō)明：R/W = 讀取/寫(xiě)入；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | SUPF | R | 1 | 表示發(fā)生了電源事件故障或 SRAM 存儲(chǔ)器故障
SUPF = TSD || VDUV || VDWRN || VPUV || RAMFLT
1 = 至少發(fā)生了一個(gè)電源事件故障或 SRAM 存儲(chǔ)器故障 0 = 未發(fā)生此類事件 |
| 6 | STRTF | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了 tSTART 故障。
STRTF = STRT1 || STRT2 || STRT3 || STRT4
1 = 至少一個(gè)通道發(fā)生了 tSTART 故障 0 = 未發(fā)生 tSTART 故障 |
| 5 | IFAULT | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了 tOVLD 或 tLIM 故障。
IFAULT = PCUT1 || PCUT2 || PCUT3 || PCUT4 || PCUT34 || PCUT12 || ILIM1 || ILIM2 || ILIM3 || ILIM4
1 = 至少一個(gè)通道發(fā)生了 tOVLD 和/或 tLIM 故障 0 = tOVLD 和 tLIM 故障均未發(fā)生 |
| 4 | CLASC | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了至少一個(gè)分級(jí)周期
CLASC = CLSC1 || CLSC2 || CLSC3 || CLSC4
1 = 至少一個(gè)通道上發(fā)生了至少一個(gè)分級(jí)周期 0 = 未發(fā)生分級(jí)周期 |
| 3 | DETC | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了至少一個(gè)檢測(cè)周期
DETC = DETC1 || DETC2 || DETC3 || DETC4
1 = 至少一個(gè)通道上發(fā)生了至少一個(gè)檢測(cè)周期 0 = 未發(fā)生檢測(cè)周期 |
| 2 | DISF | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了斷開(kāi)事件。
DISF = DISF1 || DISF2 || DISF3 || DISF4
1 = 至少一個(gè)通道發(fā)生了斷開(kāi)事件 0 = 未發(fā)生斷開(kāi)事件 |
| 1 | PGC | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了電源正常狀態(tài)變化。
PGC = PGC1 || PGC2 || PGC3 || PGC4
1 = 在至少一個(gè)通道上發(fā)生了電源正常狀態(tài)變化 0 = 未發(fā)生電源正常狀態(tài)變化 |
| 0 | PEC | R | 0 | 表示在至少一個(gè)通道上發(fā)生了電源使能狀態(tài)變化
PEC = PEC1 || PEC2 || PEC3 || PEC4
1 = 在至少一個(gè)通道上發(fā)生了電源使能狀態(tài)變化 0 = 未發(fā)生電源使能狀態(tài)變化 |