ZHCSJU6C March 2019 – October 2019 TPS23881
PRODUCTION DATA.
命令 = 4Bh，帶 1 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，只讀
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| C4_7 | C4_6 | C4_5 | C4_4 | C4_3 | R4_2C | C4_1 | C4_0 |
| R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 |
| 說明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7-0 | Cn_7- Cn_0 | R | 0 | 通道 n 電容測量的 8 位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)果。
最新的電容測量結(jié)果。I2C 數(shù)據(jù)傳輸是 1 字節(jié)傳輸。 定義測量電阻的公式為：
C = N × CSTEP 其中，CSTEP 的定義以及滿標(biāo)度值如下： |
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| 可用電阻范圍 | CSTEP | |||||||
| 1µF 至 12µF | 0.05µF | |||||||
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請注意，寄存器內(nèi)容不會(huì)在關(guān)閉時(shí)清除。 注意：僅在手動(dòng)/診斷模式下支持電容測量。 注意：如果返回的電阻檢測結(jié)果為“有效”，則不會(huì)進(jìn)行電容測量。 注意：需要對(duì) TPS23881 SRAM 進(jìn)行編程，以使電容測量正常運(yùn)行。 |
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