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ZHCSGU9C June 2017 – November 2018 TPS2373

PRODUCTION DATA.

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGW|20

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5 引腳配置和功能

RGW 封裝

20 引腳 VQFN

俯視圖

引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號	I/O	說明
VDD	1	I	連接到正極 PoE 輸入電源軌。通過 0.1µF 電容旁路至 VSS。
DEN	2	I/O	在 DEN 至 VDD 之間連接一個 24.9kΩ 電阻可提供 PoE 檢測特征。在供電運行期間，將 DEN 拉至 VSS 可禁用導通 MOSFET。
CLSA	3	O	在 CLSA 至 VSS 之間連接一個電阻可設定第一分類電流。
VSS	4、5	—	連接到源自 PoE 源的負電源導軌。
CLSB	6	O	在 CLSB 至 VSS 之間連接一個電阻可設定第二分類電流。
REF	7	O	內部 1.5V 電壓基準。在 REF 至 VSS 之間接精度為 1% 的 49.9kΩ 電阻。
AMPS_CTL	8	O	自動 MPS 控制。在 AMPS_CTL 至 VSS 之間連接一個具有合適額定功率（用于支持 MPS 電流）的電阻可設定 MPS 電流幅度。保持 AMPS_CTL 斷開可禁用自動 MPS 功能。
MPS_DUTY	9	I	MPS 占空比選擇輸入，以 VSS 為基準，在內部由精密電流源驅動（電壓限制在大約 5.5V 以下）。一個連接到 VSS 的電阻將決定選擇的 MPS 占空比是 5.4%（斷開）、8.1%（大約 60.4kΩ）還是 12.5%（短接）。
APD	10	I	輔助電源檢測輸入。將值升高到比 RTN 高出 1.65V 可禁用導通 MOSFET、強制 TPH 處于有效狀態(tài)（低電平）并強制 TPL 和 /BT 處于非活動狀態(tài)（斷開）。如果不使用 APD，應將其連接到 RTN。
RTN	11、12	—	PoE 導通 MOSFET 的漏極。從負載到控制器的回路。
PG	13	O	電源正常狀態(tài)輸出。開漏輸出，高電平有效（以RTN為基準）。
VC_OUT	14	O	VC 輸出。連接到 PWM 控制器的低電壓電源引腳。在大多數(shù)應用中通過 1µF 電容旁路至 RTN。如果應用需要使用 12V 適配器供電，則需要更大容值的電容。
VC_IN	15	I	VC 輸入。連接到輔助偏置電壓源（通常源自轉換器的電源變壓器的輔助繞組）。通過 0.1µF 電容旁路至 RTN。
UVLO_SEL	16	I	UVLO 選擇，以 RTN 為基準，在內部上拉至 5.5V 內部電源軌。當所選 PWM 具有高于 7.25V 的下降 UVLO 時保持斷開。如果 UVLO_SEL 處于 4.25V 和 7.25V 之間，應將其拉低。
TPL	17	O	PSE 分配的功率輸出，二進制編碼。開漏輸出，高電平有效（以RTN為基準）。如果通過 APD 輸入檢測到輔助電源適配器，則 TPL 變?yōu)閿嚅_狀態(tài)并且 TPH 將拉低。
TPH	18	O
BT	19	O	表示已識別到應用 IEEE802.3bt（3 型或 4 型）相互識別方案的 PSE。以 RTN 為基準的漏極開路低電平有效輸出。如果檢測到輔助電源適配器，則 /BT 變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。
NC	20	—	無連接引腳。保持斷開。
Pad	—	—	外露散熱焊盤必須連接到 VSS。需要一個較大的填充面積來幫助散熱。