ZHCSGU9C June 2017 – November 2018 TPS2373
PRODUCTION DATA.
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
對于 PoE 輸入電橋，使用肖特基二極管代替 PN 結(jié)二極管將使這些器件的功耗降低約 30%。但是，使用它們時有一些注意事項。IEEE 標準規(guī)定了最大反饋電壓為 2.8V；在未供電的線對之間放置一個 100kΩ 的電阻，然后在該電阻兩端測出電壓。肖特基二極管通常比 PN 二極管具有更高的反向泄漏電流，使得這一要求更難以滿足。為了補償這一問題，應(yīng)在二極管工作溫度方面使用保守的設(shè)計，盡可能選擇漏電較低的器件，并用經(jīng)過封裝的電橋使漏電與溫度匹配。
肖特基二極管泄漏電流和較低的動態(tài)電阻會影響檢測特征。對獲得精確檢測特征的溫度范圍設(shè)定合理的期望值是最簡單的解決方案。稍微增大 RDET 也可能有助于滿足該要求。
經(jīng)驗證，肖特基二極管應(yīng)對 ESD 瞬態(tài)的能力弱于 PN 結(jié)二極管。暴露于 ESD 后，肖特基二極管可能會短路或泄漏。請注意根據(jù)暴露水平提供適當?shù)谋Ｗo。這種保護方法可能簡單到只需使用鐵氧體磁珠和電容器。
一般情況下建議對輸入整流器使用具有 3A 至 5A、100V 額定值的分立式或橋式二極管。
許多高功率 PoE PD 設(shè)計會要求在高效率 應(yīng)用中使用有源 FET 橋式整流器。如需查看有源 FET 橋式整流器設(shè)計的示例，請參閱 TPS2373-4EVM-758 用戶指南。