ZHCSGU9C June 2017 – November 2018 TPS2373
PRODUCTION DATA.
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
當 V(VDD-VSS) 低于分類下限閾值時， TPS2373 將 DEN 拉至 VSS。當輸入電壓上升至高于 VCL_ON 時，DEN 引腳會進入漏極開路狀態(tài)以節(jié)能。在檢測時，RTN 為高阻抗，幾乎所有的內部電路都被禁用。24.9kΩ (±1%) 的 RDEN 可呈現(xiàn)正確的特征。這可能是一個小型低功耗電阻，因為其負荷僅為約 5mW。有效的 PD 檢測特征是在 PI 位置有 23.7kΩ 到 26.3kΩ 的增量電阻 (ΔV/ΔI)。
PSE 在 PI 位置看到的檢測電阻是輸入電橋電阻與一個并聯(lián)組合電阻（即 RDEN 與內部 VDD 負載并聯(lián)）串聯(lián)的結果。向 PI 施加 2.7V 電壓時，輸入二極管電橋的增量電阻大小可能為數(shù)百歐，且流耗較低。在檢測期間，輸入電橋電阻會由 TPS2373 有效電阻進行部分補償。
IEEE 802.3bt 的硬件分類協(xié)議規(guī)定，2 型、3 型或 4 型 PSE 在分類序列期間應將其輸出電壓降至檢測范圍內。在此情況下，PD 需要具有不正確的檢測特征，這稱為標記事件（請參閱Figure 24）。第一個標記事件發(fā)生后， TPS2373 將呈現(xiàn)小于 12kΩ 的特征，直至其收到低于標記復位閾值 (VMSR) 的 V(VDD-VSS) 電壓。硬件分類 中對此進行了全面的說明。