ZHCSWI2E June 2024 – October 2025 TMUXS7614D
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TMUXS7614D 器件具有傳輸門拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導(dǎo)致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入,用符號 QC 表示。圖 6-6 展示了用于測量從源極 (Sx) 到漏極 (Dx) 的電荷注入的設(shè)置。