ZHCSYW7 September 2025 TMP461-EP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件信息
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGS|10
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
9.2.1 設(shè)計(jì)要求
TMP461-EP 器件旨在與內(nèi)置于處理器芯片和應(yīng)用特定集成電路 (ASIC) 中的分立式晶體管或基板晶體管配合使用。只要將基極-發(fā)射極結(jié)作為遠(yuǎn)程溫度傳感器，就可以使用 NPN 或 PNP 晶體管。NPN 晶體管必須采用二極管連接。PNP 晶體管可以采用晶體管連接，也可以采用二極管連接（請(qǐng)參閱圖 9-1）。圖 9-3 展示了在 D+ 和 D- 引腳之間連接一個(gè)晶體管時(shí)的 D+ 引腳波形。由于圖 7-1 中所示的三個(gè)不同的源電流，D+ 波形在溫度轉(zhuǎn)換期間呈現(xiàn)三個(gè)電壓電平。
圖 9-3 D+ 波形遠(yuǎn)程溫度傳感器讀數(shù)誤差通常是由于 TMP461-EP 器件使用的理想因子（η 因子）和電流激勵(lì)，與制造商針對(duì)給定晶體管指定的工作電流共同作用的結(jié)果。一些制造商為溫度檢測(cè)基板晶體管指定了高電平和低電平電流。TMP461-EP 器件對(duì)于 ILOW 使用 7.5μA，對(duì)于 IHIGH 使用 120μA。
理想因數(shù) (η) 是與理想二極管相比得出的遠(yuǎn)程溫度傳感器二極管的測(cè)量特性。TMP461-EP 允許使用不同的 n 因子值；請(qǐng)參閱 η 因子校正寄存器章節(jié)。
TMP461-EP 器件的理想因子修整為 1.008。如果晶體管的理想因子與 TMP461-EP 器件不匹配，可使用 方程式 4 計(jì)算溫度誤差。
要正確使用 方程式 4，必須將實(shí)際溫度 (°C) 轉(zhuǎn)換為開(kāi)爾文 (K)。
其中
- TERR = TMP461-EP 器件中的誤差，因?yàn)?η ≠ 1.008，
- η = 遠(yuǎn)程溫度傳感器的理想因子
- T(°C) = 實(shí)際溫度
在 方程式 4 中，°C 和 K 的增量程度相同。
在 η = 1.004 且 T(°C) = 100°C 時(shí)：
如果將分立式晶體管用作 TMP461-EP 的遠(yuǎn)程溫度傳感器，則可通過(guò)根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)選擇晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳精度：
- 在最高傳感溫度下，7.5μA 時(shí)的基極-發(fā)射極電壓 > 0.25V。
- 在最低傳感溫度下，120μA 時(shí)的基極-發(fā)射極電壓 < 0.95V。
- 基極電阻 < 100Ω。
- hFE 的變化幅度很?。?0 至 150），表示對(duì) VBE 特性的嚴(yán)格控制。
根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)，建議采用的兩個(gè)小信號(hào)晶體管為 2N3904 (NPN) 或 2N3906 (PNP)。