ZHCS230B August 2014 – February 2024 THS4541
PRODUCTION DATA
THS4541 相對較低的內(nèi)部靜態(tài)功耗，再加上 16 引腳 VQFN (RGT) 封裝的出色熱阻抗，限制了內(nèi)部結(jié)溫過高的可能性。由于 10 引腳 WQFN (RUN) 封裝具有更高的結(jié)至環(huán)境熱阻抗 (θJA = 146°C/W)，因此可能需要進(jìn)行更詳細(xì)的分析。
要估計(jì)內(nèi)部結(jié)溫 (TJ)，首先需要估計(jì)最大內(nèi)部功率耗散 (PD)。內(nèi)部功率耗散有兩部分：靜態(tài)電流功率和輸出級用于傳遞負(fù)載電流的功率。為了簡化后者，最壞情況下的輸出級功率是使用總電源電壓的一半驅(qū)動(dòng)負(fù)載兩端的直流差分電壓。例如：
即使在這種極端條件和 125°C 的最大額定環(huán)境溫度下，結(jié)溫最高也為 144°C（低于 150°C 的額定絕對最大值）。 針對選擇的確切應(yīng)用和封裝執(zhí)行相同的計(jì)算序列，以預(yù)測最大 TJ。