與所有高速器件類(lèi)似，可以通過(guò)精心設(shè)計(jì)電路板布局布線(xiàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)出色的系統(tǒng)性能。THS4541 評(píng)估模塊 (EVM) 提供了一個(gè)很好的高頻布局技術(shù)示例作為參考。該 EVM 包含許多用于表征用途的額外元件和功能。一般高速信號(hào)路徑布局建議包括：
- 連續(xù)接地平面更適合用于具有匹配阻抗引線(xiàn)的信號(hào)路由，以實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間；不過(guò)，應(yīng)在電容敏感輸入和輸出器件引腳周?chē)蜷_(kāi)接地平面和電源平面。將信號(hào)發(fā)送到電阻器后，寄生電容會(huì)更多地導(dǎo)致帶寬限制問(wèn)題，而不是穩(wěn)定性問(wèn)題。
- 在器件電源引腳的接地平面上使用完好的高頻去耦電容器 (0.1μF)。需要容值更大的電容 (2.2μF)，但可以將其放置在離器件電源引腳更遠(yuǎn)的位置并在器件之間共享。為獲得良好的高頻去耦效果，請(qǐng)考慮使用 X2Y 電源去耦電容器，以提供比標(biāo)準(zhǔn)電容器高得多的自諧振頻率。
- 在任何可感知距離上使用差分信號(hào)路由時(shí)，請(qǐng)使用具有匹配阻抗引線(xiàn)的微帶布局技術(shù)。
- 速度更高的 FDA（例如 THS4541）在較大的 16 引腳 VQFN (RGT) 封裝的輸入反饋側(cè)包含一個(gè)輸出引腳副本。該副本旨在允許在封裝輸入側(cè)幾乎沒(méi)有布線(xiàn)長(zhǎng)度的情況下連接外部反饋電阻器。在該關(guān)鍵反饋路徑上使用此布局方法，無(wú)需額外的布線(xiàn)長(zhǎng)度。較小的 10 引腳 WQFN (RUN) 封裝將輸出和所需輸入排列在封裝的同一側(cè)，其中反饋 (Rf) 電阻器緊鄰封裝放置，具有超小的布線(xiàn)長(zhǎng)度。
- 輸入求和點(diǎn)對(duì)寄生電容非常敏感。以極小的到電阻器器件引腳側(cè)的布線(xiàn)長(zhǎng)度將任何 Rg 元件連接到求和點(diǎn)。如果需要連接到源或接地端，則 Rg 元件的另一側(cè)可能具有更大的布線(xiàn)長(zhǎng)度。