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ZHCSY31B April 2025 – October 2025 LMK3H0102-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGT|16
- MPQF119H

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGT|16
- QFND802A

訂購信息

9.2.3.1 示例：更改輸出頻率

如果用戶需要將 OUT0 和 OUT1 上的 100MHz LP-HCSL 輸出更改為 OUT0 和 OUT1 上的 24MHz 差分 LVCMOS 時鐘，并且 REF_CTRL 引腳上有一個附加 LVCMOS 時鐘，則本示例中 BAWFREQ_OFFSET_FIXEDLUT 字段的值為 0x3701。改變頻率的步驟如下：

確定器件的 BAW 頻率。這對于以下所有計算至關(guān)重要。通過方程式 4 可知，如果 BAWFREQ_OFFSET_FIXEDLUT 為 0x3701，則該器件的 BAW 頻率約為 2471.446441856。
確定通道分頻器設(shè)置和所需的 FOD 頻率。如果輸出頻率為 24MHz，并且 FOD 的范圍為 100MHz 至 400MHz，則需要至少為 5 的通道分頻器值才能生成該輸出。由于沒有 5 分頻選項，并且 REF_CLK 也必須具有時鐘（請參閱 CH0_DIV、CH1_DIV 和 REF_CLK_DIV），因此需要 8 分頻。從此處，24MHz 乘以 8 得出 192MHz 的 FOD 輸出頻率。如果 OUT1 是不同的頻率，并且無法通過從同一 FOD 頻率向下分頻來生成兩個頻率，則可能需要使用 FOD1。
設(shè)置 FOD 分頻值。使用方程式 1 計算得出整數(shù)分頻值 FOD0_N_DIV = floor(2471.446441856/192) = 12。根據(jù)方程式 2，分子分頻值 FOD0_NUM = int(((2471.446441856/192) –12) × 2²⁴) = 14631693
將所需的設(shè)置寫入器件寄存器。這包括上面列出的分頻器設(shè)置以及輸出驅(qū)動器設(shè)置。按照圖 7-4 中概述的過程進行操作：
1. 設(shè)置 PDN = 1。
2. 設(shè)置 FOD0_N_DIV = 12 和 FOD0_NUM = 14631693。
3. 設(shè)置 CH0_DIV 和 REF_CLK_DIV 以實現(xiàn) 8 分頻（默認情況下 OUT1_CH_SEL 被設(shè)置為選擇通道分頻器 0）。
4. 設(shè)置 OUT0_FMT 和 OUT1_FMT 以選擇差分 LVCMOS 作為輸出格式。
5. 設(shè)置 REF_CTRL_PIN_FUNC 以輸出 REF_CLK。
6. 將 OTP_AUTOLOAD_DIS 設(shè)置為 1（禁用 OTP 第 0 頁自動負載功能）。
7. 設(shè)置 DIG_CLK_N_DIV = 2，以便根據(jù) 方程式 9 將數(shù)字狀態(tài)機時鐘設(shè)置為 48MHz
8. 設(shè)置 PDN = 0

從發(fā)出 PDN = 0 到輸出時鐘以所需頻率啟動，頻率更改生效所需的時間通常約為 1ms。