ZHCSTZ5F February 2005 – January 2024 LM95231
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機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGK|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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8.2.1.1 二極管非理想因子對精度的影響
當晶體管作為二極管連接時，變量 VBE、T 和 IF 具有以下關系：
方程式 1. 
其中
- q = 1.6×10?19 庫侖（電子電荷）；
- T = 以開爾文為單位的絕對溫度
- k = 1.38×10?23焦耳/K（玻爾茲曼常數(shù)）；
- η 是二極管制造工藝的非理想因子；
- IS = 飽和電流，與工藝相關；
- If = 流經(jīng)基極發(fā)射極結(jié)的正向電流
- VBE = 基極發(fā)射極壓降
在活動區(qū)域，-1 項可以忽略不計，可以消除，從而得到以下公式：
方程式 2. 
在方程式 2 中，η 和 IS 取決于制造特定二極管所用的工藝。通過嚴格控制兩個電流的比率(IF2/IF1) 并測量產(chǎn)生的電壓差，可以消除 IS 項。求解正向電壓差可得到以下關系：
方程式 3. 
求解方程式 3 可得出溫度為：
方程式 4. 
使用 MMBT3904 等二極管連接的晶體管時，方程式 4 適用。當將該“二極管”公式應用于集成二極管時，例如將集電極連接到 GND 的處理器晶體管，如圖 8-1 所示，將產(chǎn)生較寬的非理想分布。這種較寬的非理想性分布并不是因為真正的工藝變化引起的，而是由于方程式 4 是一種近似計算這一事實。
TruTherm 技術(shù)使用晶體管公式方程式 5，這是 FPGA 或處理器中熱敏二極管拓撲結(jié)構(gòu)的更準確表示。
方程式 5. 
圖 8-1 熱敏二極管電流路徑只有在測量圖 8-1 處理器中所集成晶體管的溫度時，才應啟用 TruTherm 技術(shù)，因為方程式 5 僅適用于此拓撲。