ZHCSYV6 September 2025 LM51770-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
輸出側(cè) MOSFET QH2 (Q3) 和 QL2 (Q4) 會(huì)看到 16V 的輸出電壓以及開(kāi)關(guān)期間 SW2 上出現(xiàn)的額外瞬態(tài)尖峰。因此,25V 或更高時(shí),應(yīng)為 QH2 和 QL2 評(píng)級(jí)。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動(dòng)或過(guò)載情況下可能無(wú)法完全增強(qiáng)。
降壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗根據(jù)以下公式進(jìn)行近似計(jì)算:
升壓運(yùn)行模式下 QL2 中的功率損耗由導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗兩個(gè)分量組成,二者分別通過(guò)方程式 37 和方程式 38 得出:
上升 (tr) 和下降 (tf) 時(shí)間基于 MOSFET 數(shù)據(jù)表信息或在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行測(cè)量。通常,RDSON 較?。▽?dǎo)通損耗較?。┑?MOSFET 具有較長(zhǎng)的上升和下降時(shí)間(開(kāi)關(guān)損耗較大)。
升壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗如方程式 39 所示: