ZHCSYV6 September 2025 LM51770-Q1
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LM51770-Q1 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器具有短傳播延遲、頻率相關(guān)的死區(qū)時(shí)間控制和低阻抗輸出級(jí)，能夠提供很大的峰值電流以及很短的上升和下降時(shí)間，從而有助于外部功率 MOSFET 以極快的速度進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷轉(zhuǎn)換。如果布線長(zhǎng)度未控制得當(dāng)，極高的 di/dt 會(huì)導(dǎo)致無(wú)法接受的振鈴。盡可能地減少雜散或寄生柵極環(huán)路電感是優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)開關(guān)性能的關(guān)鍵，因?yàn)闊o(wú)論是與 MOSFET 柵極電容諧振的串聯(lián)柵極電感，還是共源電感（柵極和功率回路常見），都會(huì)提供與柵極驅(qū)動(dòng)命令相反的負(fù)反饋補(bǔ)償，從而導(dǎo)致 MOSFET 開關(guān)時(shí)間延長(zhǎng)。
從柵極驅(qū)動(dòng)器輸出（HO1 和 HO2）到高側(cè) MOSFET 相應(yīng)柵極的連接需要盡可能短，從而減少串聯(lián)寄生電感。以差分對(duì)形式將 HO1 和 HO2 以及 SW1 和 SW2 柵極跡線從器件引腳布線到高側(cè) MOSFET，從而通過(guò)減少環(huán)路面積來(lái)利用磁通抵消。
從柵極驅(qū)動(dòng)器輸出（LO1 和 LO2）到低側(cè) MOSFET 相應(yīng)柵極的連接需要盡可能短，從而減少串聯(lián)寄生電感。以差分對(duì)形式將 LO1 和 LO2 以及 PGND 柵極跡線從器件引腳布線到低側(cè) MOSFET，從而通過(guò)減少環(huán)路面積來(lái)利用磁通抵消。
盡可能縮短從 VCC、HB1 和 HB2 引腳通過(guò)其各自電容器的電流環(huán)路路徑，因?yàn)檫@些電容器會(huì)提供高瞬時(shí)電流。