ZHCSYV6 September 2025 LM51770-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
輸入側(cè) MOSFET QH1 (Q1) 和 QL1 (Q2) 需承受 36V 的最大輸入電壓,并且還需要承受開(kāi)關(guān)期間 SW1 上出現(xiàn)的瞬態(tài)尖峰。因此,QH1 和 QL1 的額定電壓需要為 50V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動(dòng)或過(guò)載情況下可能無(wú)法完全增強(qiáng)。
升壓模式下 QH1 中的功率損耗根據(jù)以下公式進(jìn)行近似計(jì)算:
降壓模式下 QH1 中的功率損耗分別由方程式 33 和方程式 34 給出的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗分量組成:
上升 (tr) 和下降 (tf) 時(shí)間基于 MOSFET 數(shù)據(jù)表信息或在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行測(cè)量。通常,RDSON 較?。▽?dǎo)通損耗較小)的 MOSFET 具有較長(zhǎng)的上升和下降時(shí)間(開(kāi)關(guān)損耗較大)。
降壓運(yùn)行模式下 QL1 中的功率損耗如方程式 35 所示: