ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3 特性說明
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 6.6 寄存器映射
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUY|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.3.4 CPU 節(jié)流的處理器熱量指示
當(dāng) CPU 運(yùn)行渦輪模式時(shí)，峰值功率可能會(huì)超過適配器和電池的可用功率總和。BQ24800 提供 PROCHOT 輸出，以向 CPU 發(fā)出發(fā)生過載條件的信號(hào)。當(dāng)適配器或電池放電電流超過允許的閾值或系統(tǒng)電壓下降時(shí)，它會(huì)指示發(fā)生了過載條件。同樣，移除適配器或電池可能會(huì)導(dǎo)致 CPU 電量不足。BQ24800 中的處理器熱量功能會(huì)監(jiān)控這些事件，并在發(fā)生這些事件時(shí)選擇性地將 PROCHOT 信號(hào)置為有效。
PROCHOT 觸發(fā)事件包括：
- ICRIT：適配器峰值電流（ILIM2 的 110%）
- INOM：適配器峰值電流（ILIM1 的 110%）
- IDCHG：電池放電電流
- VBATT：SRP 上的電池電壓
- ACOK：移除適配器后（ACOK 引腳從高電平變?yōu)榈碗娖剑?/li>
- BATPRES：移除電池后（BATPRES 引腳從低電平變?yōu)楦唠娖剑?/li>
- CMPOUT：獨(dú)立比較器輸出（CMPOUT 引腳從高電平變?yōu)榈碗娖剑?/li>
- 在僅電池升壓模式激活時(shí)插入適配器（如果啟用，則觸發(fā) ICRIT 事件）。
ICRIT、IDCHG 或 VBATT 的閾值以及 ICRIT、INOM、IDCHG 或 CMPOUT 的抗尖峰脈沖時(shí)間可通過 SMBus 進(jìn)行編程。每個(gè)觸發(fā)事件都可以在 REG0x3D[6:0] 中單獨(dú)啟用。ICRIT 閾值是 REG0x3C[14:11] 中設(shè)置的 ILIM2 值的 110%。當(dāng) ILIM2 設(shè)置為較低值時(shí)，尤其是當(dāng) ICRIT 抗尖峰脈沖設(shè)置為較快的值 10 或 100uS 之一時(shí)，ICRIT PROCHOT 可能會(huì)在適配器插入時(shí)因浪涌電流而跳閘。可能導(dǎo)致這種情況的確切值取決于系統(tǒng)電源軌上的電容量以及適配器和電池之間的電壓差。更大的電容會(huì)導(dǎo)致更大的浪涌電流，適配器和電池之間的電壓差也會(huì)更大。如果 ILIM2 值設(shè)置為 512mA 或更低，這個(gè)問題的可能性更大。
圖 6-1 PROCHOT 配置觸發(fā) PROCHOT 配置中的任何事件后，PROCHOT 將置位為低電平至少 10ms（默認(rèn) REG0x3C[4:3]=10）。在 10ms 結(jié)束時(shí)，如果 PROCHOT 事件仍處于活動(dòng)狀態(tài)，則脈沖將會(huì)擴(kuò)展。
如果在 PROCHOT 信號(hào)保持低電平有效時(shí)發(fā)生多個(gè) PROCHOT 事件，則所有觸發(fā)事件都將保存在狀態(tài)寄存器 REG0x3A[6:0] 中。如果 PROCHOT 信號(hào)置為無效，然后重新置為有效，則在 PROCHOT 信號(hào)新從高電平轉(zhuǎn)換為低電平時(shí)將清除狀態(tài)寄存器，以便僅讀取新檢測(cè)到的事件。每當(dāng)主機(jī)讀取 REG0x3A 時(shí)，這也將在讀取后清除該寄存器中的所有已標(biāo)記事件。