ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3 特性說(shuō)明
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 6.6 寄存器映射
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUY|28
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
9.2.3 短路保護(hù)的布局注意事項(xiàng)
BQ24800 具有獨(dú)特的短路保護(hù)功能。它的逐周期電流監(jiān)控特性通過(guò)監(jiān)控特定消隱時(shí)間后 MOSFET 的 RDS(on) 上的壓降來(lái)實(shí)現(xiàn)。對(duì)于 MOSFET 短路或電感器短路，過(guò)流條件由兩個(gè)比較器檢測(cè)，并且觸發(fā)兩個(gè)計(jì)數(shù)器。發(fā)生七次短路事件后，充電器將被閉鎖。要將充電器從閉鎖狀態(tài)復(fù)位，請(qǐng)拆下并重新連接適配器。圖 9-3 展示了 BQ24800 短路保護(hù)方框圖。
圖 9-3 BQ24800 短路保護(hù)的方框圖正常運(yùn)行時(shí)，低側(cè) MOSFET 電流從源極流向漏極，這在導(dǎo)通時(shí)會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓降，因此無(wú)法觸發(fā)過(guò)流比較器。當(dāng)發(fā)生高側(cè)開(kāi)關(guān)短路或電感器短路時(shí)，低側(cè) MOSFET 的大電流從漏極流向源極，可以觸發(fā)低側(cè)開(kāi)關(guān)過(guò)流比較器。BQ24800 通過(guò) PHASE 引腳和 GND 引腳檢測(cè)低側(cè)開(kāi)關(guān)壓降。
通過(guò)監(jiān)測(cè) ACP 和 PHASE 之間的壓降來(lái)檢測(cè)高側(cè) FET 短路。因此，它不僅監(jiān)測(cè)高側(cè)開(kāi)關(guān)壓降，還監(jiān)測(cè)適配器檢測(cè)電阻器壓降以及從 RAC 的 ACN 引腳到充電器高側(cè)開(kāi)關(guān)漏極的 PCB 布線壓降。通常，輸入檢測(cè)電阻器和充電器轉(zhuǎn)換輸入之間存在較長(zhǎng)的布線，謹(jǐn)慎的布局將最大程度地減小走線效應(yīng)。
為了防止充電器在正常工作中意外關(guān)斷，MOSFET RDS(on) 選擇和 PCB 布局非常重要。圖 9-4 展示了改進(jìn)的 PCB 布局示例及其等效電路。在此布局中，系統(tǒng)電流路徑和充電器輸入電流路徑未分開(kāi)，因此，系統(tǒng)電流會(huì)在 PCB 覆銅區(qū)引起壓降，由 IC 檢測(cè)。最糟糕的布局是當(dāng)系統(tǒng)電流拉點(diǎn)位于充電器輸入之后時(shí)；結(jié)果，所有系統(tǒng)電流壓降都計(jì)入過(guò)流保護(hù)比較器。IC 的最壞情況是系統(tǒng)總電流和充電器輸入電流之和等于 DPM 電流。當(dāng)系統(tǒng)拉取更多電流時(shí)，充電器 IC 會(huì)嘗試通過(guò)降低充電電流來(lái)將 RAC 電流調(diào)節(jié)為恒定電流。
圖 9-4 PCB 布局示例圖 9-5 展示了經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 PCB 布局示例。系統(tǒng)電流路徑和充電輸入電流路徑分開(kāi)，因此 IC 僅檢測(cè)充電器輸入電流導(dǎo)致的 PCB 壓降，并盡可能降低正常運(yùn)行時(shí)充電器意外關(guān)斷的可能性。這也使得大系統(tǒng)電流應(yīng)用的 PCB 布局更加簡(jiǎn)單。
圖 9-5 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 PCB 布局示例IC 檢測(cè)到的總壓降可通過(guò)以下公式表示。
其中 RAC 是交流適配器電流檢測(cè)電阻，IDPM 是 DPM 電流設(shè)定點(diǎn)，RPCB 是 PCB 布線等效電阻，ICHRGIN 是充電器輸入電流，k 是 PCB 系數(shù)，RDS(on) 是高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，IPEAK 是電感器的峰值電流。在此處，PCB 系數(shù) k 等于 0 表示 圖 9-5 中所示的最佳布局，其中 PCB 布線僅經(jīng)過(guò)充電器輸入電流，而 k 等于 1 表示 圖 9-4 中所示的最差布局，其中 PCB 布線經(jīng)過(guò)所有 DPM 電流?？倝航当仨毜陀诟邆?cè)短路保護(hù)閾值，以防止充電器正常工作時(shí)意外關(guān)斷。
低側(cè) MOSFET 短路壓降閾值可通過(guò) SMBus 命令進(jìn)行調(diào)節(jié)。ChargeOption() 位 [7] 在設(shè)置為 0 時(shí)禁用 LSFET 保護(hù)，設(shè)置為 1 時(shí)以 250mV 的閾值啟用保護(hù)。高側(cè) MOSFET 短路壓降閾值可通過(guò) SMBus 命令進(jìn)行調(diào)節(jié)。ChargeOption() 位 [8] 在設(shè)置為 0 時(shí)禁用 HSFET 保護(hù)，設(shè)置為 1 時(shí)以 750mV 的閾值啟用保護(hù)。對(duì)于固定 PCB 布局，主機(jī)應(yīng)設(shè)置適當(dāng)?shù)亩搪繁Ｗo(hù)閾值水平，以防止充電器正常運(yùn)行時(shí)意外關(guān)斷。