ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3 特性說明
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 6.6 寄存器映射
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUY|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
4 引腳配置和功能
圖 4-1 RUY 封裝28 引腳 WQFN頂視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 說明 | |
|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | |
| ACN | 1 | 輸入電流檢測(cè)電阻負(fù)輸入。在 ACN 和 GND 之間放置一個(gè)可選 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波。在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。 |
| ACP | 2 | 輸入電流檢測(cè)電阻正輸入。在 ACP 和 GND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波。在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。 |
| CMSRC | 3 | ACDRV 電荷泵源輸入。在 CMSRC 與 ACFET (Q1) 和 RBFET (Q2) 的共源極之間放置一個(gè) 4kΩ 電阻器，以限制 CMSRC 引腳上的浪涌電流。 |
| ACDRV | 4 | 電荷泵輸出，用于驅(qū)動(dòng)適配器輸入 N 溝道 MOSFET (ACFET) 和反向阻斷 N 溝道 MOSFET (RBFET)。當(dāng) ACOK 為高電平時(shí)，ACDRV 電壓比 CMSRC 高 6V。在 ACDRV 和 ACFET 柵極之間放置一個(gè) 4kΩ 電阻器，RBFET 會(huì)限制 ACDRV 引腳上的浪涌電流。 |
| ACOK | 5 | 高電平有效交流適配器檢測(cè)開漏輸出。當(dāng)存在有效適配器（ACDET 高于2.4V、VCC 高于 UVLO 但低于 ACOV 且 VCC 高于 BAT）時(shí)，通過外部上拉電阻器將其拉高至外部上拉電源軌。如果上述任何條件無效，ACOK 由內(nèi)部 MOSFET 拉至低電平。在 ACOK 與上拉電源軌之間連接一個(gè) 10kΩ 上拉電阻器。 |
| ACDET | 6 | 適配器檢測(cè)輸入。通過在適配器輸入到 ACDET 引腳到 GND 引腳之間連接一個(gè)電阻分壓器，對(duì)適配器有效輸入閾值進(jìn)行編程。當(dāng) ACDET 引腳電壓高于0.6V 且 VCC 高于 UVLO 時(shí)，REGN LDO 存在，ACOK 比較器、輸入電流緩沖器 (IADP)、放電電流緩沖器 (IDCHG)、獨(dú)立比較器和電源監(jiān)控緩沖器 (PMON) 可以通過 SMBus 啟用。當(dāng) ACDET 高于2.4V、VCC 高于 SRN 但低于 ACOV 時(shí)，ACOK 變?yōu)楦唠娖?。從適配器到 ACDET 再到 GND 的總電阻在 100kΩ 至 1MΩ 之間變化。 |
| IADP | 7 | 緩沖適配器電流輸出。VIADP = 20 or 40 × (VACP – VACN) 可以通過 SMBus 來選擇 20x 和 40x 的比率。在 IADP 引腳與 GND 之間放置一個(gè) 100pF（或更小的）陶瓷去耦電容器。如果未使用此輸出，則此引腳可以懸空。 |
| IDCHG | 8 | 緩沖放電電流。VIDCHG = 8 or 16 × (VSRN – VSRP) 可以通過 SMBus 來選擇 8x 或 16x 的比率。在 IDSCHG 引腳與 GND 之間放置一個(gè) 100pF（或更小的）陶瓷去耦電容器。如果未使用此輸出，則此引腳可以懸空。 |
| PMON | 9 | 緩沖系統(tǒng)電源輸出。輸出電流與適配器和電池加在一起的總功率成正比。比率可以通過 SMBus 選擇。在 PMON 引腳與 GND 之間放置一個(gè)電阻器以生成 PMON 電壓。在 PMON 引腳與 GND 之間放置一個(gè) 100pF（或更小的）陶瓷去耦電容器。該引腳電壓被鉗制在最大 3.3V。 |
| PROCHOT | 10 | 處理器熱量指示器的低電平有效開漏輸出。充電器 IC 可監(jiān)測(cè)適配器電流、電池放電電流等事件。觸發(fā) PROCHOT 配置中的任何事件后，信號(hào)會(huì)被置為低電平。在 PROCHOT 引腳與 CPU Vtt 電源軌（通常為 1.05V）之間連接一個(gè) 500kΩ 上拉電阻器。 |
| SDA | 11 | SMBus 開漏數(shù)據(jù) I/O。連接到主機(jī)控制器或智能電池的 SMBus 數(shù)據(jù)線。當(dāng) VCC 高于 UVLO 時(shí)，開始 SMBus 通信。根據(jù) SMBus 規(guī)范連接一個(gè) 10kΩ 上拉電阻器。 |
| SCL | 12 | SMBus 開漏時(shí)鐘輸入。連接到主機(jī)控制器或智能電池的 SMBus 時(shí)鐘線。當(dāng) VCC 高于 UVLO 時(shí)，開始 SMBus 通信。根據(jù) SMBus 規(guī)范連接一個(gè) 10kΩ 上拉電阻器。 |
| CMPIN | 13 | 獨(dú)立比較器的輸入?？赏ㄟ^ SMBus 主機(jī)選擇內(nèi)部基準(zhǔn)、輸出極性和抗尖峰脈沖時(shí)間。在 CMPIN 和 CMPOUT 之間放置一個(gè)電阻器，以編程極性為高電平時(shí)的遲滯。如果未使用比較器，則 CMPIN 將接地，CMPOUT 保持懸空。 |
| CMPOUT | 14 | 獨(dú)立比較器的開漏輸出。在 CMPOUT 與上拉電源軌之間旋轉(zhuǎn)一個(gè) 10kΩ 上拉電阻器?？赏ㄟ^ SMBus 主機(jī)選擇比較器基準(zhǔn)、輸出極性和抗尖峰脈沖時(shí)間。當(dāng) REGN 可用時(shí)，比較器處于活動(dòng)狀態(tài)。如果未使用比較器，則 CMPIN 將接地，CMPOUT 保持懸空。 |
| BATPRES | 15 | 低電平有效電池存在輸入信號(hào)。低電平表示存在電池，高電平表示無電池。如果 BATPRES 引腳被拉至高電平，該器件退出 LEARN 功能并導(dǎo)通 ACFET/RBFET。請(qǐng)注意，在關(guān)斷 BATFET 之前不會(huì)驅(qū)動(dòng) ACFET/RBFET，以防止適配器對(duì)電池短路。當(dāng) BATPRES 從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，電池充電和混合動(dòng)力升壓模式被禁用。當(dāng) BATPRES 為高電平時(shí)，主機(jī)可以通過寫入 REG0x14() 和 REG0x15() 來啟用充電和混合動(dòng)力升壓模式。 |
| BST_STAT | 16 | 用于混合動(dòng)力升壓模式指示的低電平有效開漏輸出。當(dāng) IC 以混合升壓模式或僅電池升壓模式運(yùn)行時(shí)，它被拉至低電平。否則，將被拉至高電平。在 BST_STAT 引腳與上拉電源軌之間連接一個(gè) 10kΩ 上拉電阻器。 |
| BATSRC | 17 | 連接到 N 溝道 BATFET 的源極。BATDRV 電壓比 BATSRC 高 6V 可導(dǎo)通 BATFET。在 BATSRC 和 BATFET 的源極之間放置一個(gè) 10kΩ 電阻器，以限制 BATSRC 引腳上的浪涌電流。 |
| BATDRV | 18 | 電荷泵輸出，用于驅(qū)動(dòng)電池和系統(tǒng) (BATFET) 之間的 N 溝道 MOSFET。BATDRV 電壓比 BATSRC 高 6V，可導(dǎo)通 BATFET 并從電池為系統(tǒng)供電。BATDRV 短接至 BATSRC 可關(guān)斷 BATFET。在 BATDRV 和 BATFET 的柵極之間放置一個(gè) 4kΩ 電阻器，以限制 BATDRV 引腳上的浪涌電流。 |
| SRN | 19 | 充電電流檢測(cè)電阻負(fù)輸入。SRN 引腳也用于電池電壓檢測(cè)。將帶有 0.1μF 陶瓷電容器的 SRN 引腳連接到 GND 以實(shí)現(xiàn)共模濾波。在 SRP 和 SRN 之間連接一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器以提供差模濾波。在 SRN 引腳上放置一個(gè) 10Ω 電阻器，以防止反極性電池插入。 |
| SRP | 20 | 充電電流檢測(cè)電阻正輸入。將帶有 0.1μF 陶瓷電容器的 SRP 引腳連接到 GND 以實(shí)現(xiàn)共模濾波。在 SRP 和 SRN 之間連接一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器以提供差模濾波。在 SRP 引腳上放置一個(gè) 10Ω 電阻器，以防止反極性電池插入。 |
| ILIM | 21 | 充電電流和放電電流限制。對(duì)于于充電電流，VILIM = 20 × (VSRP – VSRN)，對(duì)于放電電流，VILIM = 5 × (VSRN – VSRP)。通過在系統(tǒng)基準(zhǔn) 3.3V 電源軌到 ILIM 引腳和 GND 引腳之間連接一個(gè)電阻分壓器，對(duì) ILIM 電壓進(jìn)行編程。ILIM 電壓和 0x14()（用于充電）或 0x39（用于放電）基準(zhǔn)的較低者設(shè)置實(shí)際調(diào)節(jié)限值。如果 ILIM 被拉至 90mV 以下，則充電和混合升壓被禁用。 |
| AGND | 22 | IC 接地。在 PCB 布局上，連接到模擬接地平面，并且僅通過 IC 下方的焊盤連接到電源接地平面。 |
| LODRV | 23 | 低側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器輸出。連接到低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| REGN | 24 | 由 VCC 供電的 6V 線性穩(wěn)壓器輸出。當(dāng) ACDET 高于 0.6V、VCC 高于 UVLO 時(shí)，LDO 處于活動(dòng)狀態(tài)。在 REGN 和 GND 之間連接一個(gè) ≥ 2.2μF 的 0603 陶瓷電容器。REGN 和 BTST 之間的二極管為集成式。 |
| BTST | 25 | 高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源。在 BTST 和 PHASE 之間連接一個(gè) 47nF 電容器。REGN 和 BTST 之間的二極管集成在 IC 內(nèi)部。 |
| HIDRV | 26 | 高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器輸出。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| PHASE | 27 | 高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器源極。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 的源極。 |
| VCC | 28 | 為 IC 供電的輸入電源。使用 10Ω 電阻器和 1μF 電容器接地作為低通濾波器，以限制浪涌電流。二極管 OR 連接到 VCC。如果支持僅電池升壓模式，可以從輸入適配器或系統(tǒng)電源軌為充電器 IC 供電。如果不支持僅電池升壓模式，則二極管 OR 從適配器或電池電源軌為充電器 IC 供電。請(qǐng)參閱 節(jié) 7，以獲得支持和不支持僅電池升壓的示例。 |
| 散熱焊盤 | – | IC 下方的外露焊盤。模擬接地和電源接地僅在散熱焊盤平面上采用星形連接。始終將散熱焊盤焊接到電路板上，并在連接到模擬接地和電源接地平面的散熱焊盤平面上留有過孔。它還用作散熱焊盤以進(jìn)行散熱。 |