ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
在具有足夠的充電電流的情況下,電感器電流不會(huì)超過(guò) 0,這定義為 CCM??刂破鲿?huì)將 SRP-SRN(CC 充電)或 SRN(CV 充電)與 ChargeCurrent() REG0x14 和 ChargeVoltage() REG0x15 中設(shè)置的參考值進(jìn)行比較。該誤差會(huì)集成在誤差放大器中,并將誤差放大器輸出 (EAO) 與斜坡電壓進(jìn)行比較。只要 EAO 電壓高于斜坡電壓,高側(cè) MOSFET (HSFET) 就會(huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)斜坡電壓超過(guò) EAO 電壓時(shí),HSFET 關(guān)斷,低側(cè) MOSFET (LSFET) 導(dǎo)通。在周期結(jié)束時(shí),斜坡會(huì)復(fù)位且 LSFET 關(guān)斷,為下一個(gè)周期做好準(zhǔn)備。在轉(zhuǎn)換過(guò)程中始終存在先斷后合邏輯,以防止跨導(dǎo)和擊穿。在兩個(gè) MOSFET 均關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi),低側(cè)功率 MOSFET 的體二極管傳導(dǎo)電感器電流。
在 CCM 期間,電感器電流始終流動(dòng)并形成固定的雙極系統(tǒng)。使 LSFET 導(dǎo)通將可保持較低的功耗,并允許在大電流下安全充電。