正如Topic Link Label1 中所述，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝由標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝和 FCOL 封裝演變而來。在深入研究全新封裝技術(shù)之前，了解其每個(gè)父封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)很重要。

標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝具有將器件連接到引線框的引線鍵合（圖 2-1）。這些引線鍵合的電感量級(jí)為 2nH，在開關(guān)事件期間，其換向電流可約為 2A/ns，這會(huì)使開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓過沖高達(dá) 4–5V。此外，器件封裝引線鍵合對(duì)電源環(huán)路的寄生電感影響很大，在這種環(huán)路中，快速開關(guān)（電流和電壓）邊沿（以及與體二極管反向恢復(fù)和 MOSFET COSS 充電相關(guān)的可能前沿振鈴）諧波含量很高。相應(yīng)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴會(huì)對(duì) H 場(chǎng)和 E 場(chǎng)耦合造成嚴(yán)重威脅，從而增加傳導(dǎo)和輻射發(fā)射（圖 2-2）。

圖 2-1 標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝圖示

圖 2-2 開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形（標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝）

LMR33630 采用 FCOL 封裝技術(shù)（如圖 2-3 所示），通過翻轉(zhuǎn)引線框上的裸片來消除引線鍵合，從而實(shí)現(xiàn)卓越的 EMI 性能。開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形如圖 2-4 所示，消除了振鈴。這種技術(shù)的代價(jià)是需要通過封裝的所有引腳散發(fā)熱量。每個(gè)引腳的物理尺寸受限，而且沒有用于散熱的專用接地 DAP，因此與標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝相比，F(xiàn)COL 封裝的散熱性能有限。Topic Link Label4 中對(duì)該觀察結(jié)果進(jìn)行了更為詳細(xì)的論述。

圖 2-3 FCOL 封裝圖示

圖 2-4 開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形（FCOL 封裝）

TI 全新的增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝提供了下一代技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn) QFN 引腳排列中提供低 EMI、高功率密度解決方案，以提高設(shè)計(jì)的熟悉度和靈活性。LM60440 和 LM60440-Q1 器件是寬輸入電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器，專為低噪聲和 EMI 而設(shè)計(jì)。LM60440 器件具有 3.8V 至 36V 的輸入電壓范圍，可提供高達(dá) 4A 的負(fù)載電流。LM60440 器件具有相同的 FCOL 技術(shù)以去除引線鍵合（預(yù)期可獲得相同的 EMI 性能），但使用與標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝相一致的 PowerPad（引腳 13），以實(shí)現(xiàn)更好的散熱和性能?？傊?，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝技術(shù)可提供優(yōu)良 EMI 性能和良好熱性能（詳見Topic Link Label4）。以下部分更詳細(xì)地介紹了增強(qiáng)型 HotRod QFN 引腳排列（圖 2-5）。

圖 2-5 LM60440 封裝

圖 2-6 LM60440 開關(guān)節(jié)點(diǎn)