ZHCSPL3B October 2023 – July 2024 UCC25660
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
-
8 應(yīng)用和實施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計過程
- 8.2.2.1 LLC 功率級要求
- 8.2.2.2 LLC 增益范圍
- 8.2.2.3 ?選擇 Ln 和 Qe
- 8.2.2.4 確定等效負(fù)載電阻
- 8.2.2.5 確定 LLC 諧振電路的元件參數(shù)
- 8.2.2.6 LLC 初級側(cè)電流
- 8.2.2.7 LLC 次級側(cè)電流
- 8.2.2.8 LLC 變壓器
- 8.2.2.9 LLC 諧振電感器
- 8.2.2.10 LLC 諧振電容器
- 8.2.2.11 LLC 初級側(cè) MOSFET
- 8.2.2.12 自適應(yīng)死區(qū)時間的設(shè)計注意事項
- 8.2.2.13 LLC 整流器二極管
- 8.2.2.14 LLC 輸出電容器
- 8.2.2.15 HV 引腳串聯(lián)電阻器
- 8.2.2.16 BLK 引腳分壓器
- 8.2.2.17 ISNS 引腳微分器
- 8.2.2.18 TSET 引腳
- 8.2.2.19 OVP/OTP 引腳
- 8.2.2.20 突發(fā)模式編程
- 8.2.2.21 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、包裝和訂購信息
7.4.1 零電流開關(guān) (ZCS) 保護(hù)
ZCS 保護(hù)的目標(biāo)是確保 MOSFET 可以在電流反轉(zhuǎn)之前關(guān)斷，從而消除 MOSFET 體二極管硬反向恢復(fù)的可能性。這可以提高功率級的可靠性。最小關(guān)斷電流應(yīng)設(shè)置為一定的閾值，這樣可以增加在該情況下實現(xiàn) ZVS 開關(guān)或近 ZVS 開關(guān)的機(jī)會。
結(jié)合會同時關(guān)注壓擺完成信號和 IPOL 信號的死區(qū)時間引擎，我們可以確保對向 MOSFET 在 Vds 電壓的谷點導(dǎo)通，從而實現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗。
圖 7-8 ZCS 保護(hù)當(dāng)運行接近電感/電容邊界時，諧振電流會在柵極關(guān)斷之前減小。如果 ISNS 波形小于 VISNS_ZCS 閾值，則柵極脈沖會提前終止，而不是等待 VCR 波形越過 VTH 或 VTL 邊界。這種提前終止方案能夠在柵極關(guān)斷沿產(chǎn)生足夠的諧振電流，以便在死區(qū)時間內(nèi)驅(qū)動 ZVS 轉(zhuǎn)換。
ISNS 信號會饋送到兩個 ZCS 比較器。由于 HO 導(dǎo)通時和 LO 導(dǎo)通時有專用的比較器，因此另一個比較器輸出會被忽略。
圖 7-9 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通時的 ZCS 預(yù)防方案諧振電流的形狀遠(yuǎn)低于諧振頻率，會對檢測諧振電流波形的正確下降沿造成一些挑戰(zhàn)。UCC25660x 實現(xiàn)有額外的邏輯，用于確保檢測 ISNS 信號的正確下降沿，從而避免誤跳。
為了提高抗噪聲穩(wěn)健性，ISNS ZCS 比較器會在 HO 或 LO 柵極的上升沿被消隱。VCR 比較器和 ISNS ZCS 比較器使用相同的消隱時間 tleb。
檢測到 ZCS 事件時，內(nèi)部軟啟動斜坡電壓會緩慢降低。當(dāng)內(nèi)部軟啟動斜降時，開關(guān)頻率也會被強(qiáng)制進(jìn)一步增加，從而強(qiáng)制系統(tǒng)退出容性區(qū)域。
如果 ZCS 情況持續(xù)，控制器會停止開關(guān)操作并轉(zhuǎn)為故障狀態(tài)。可配置的超時用來聲明 ZCS 持續(xù)故障情況。