ZHCSF55F June 2016 – November 2024 UCC21520
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
UCC21520 的結(jié)溫 (TJ) 可通過(guò)以下公式進(jìn)行估算:

其中
使用結(jié)至頂特征參數(shù) (ΨJT) 代替結(jié)至外殼熱阻 (RΘJC) 可以極大地提高結(jié)溫估算的準(zhǔn)確性。大多數(shù) IC 的大部分熱能通過(guò)封裝引線(xiàn)釋放到 PCB 中,而只有一小部分的總能量通過(guò)外殼頂部(通常在此處進(jìn)行熱電偶測(cè)量)釋放。只有在大部分熱能通過(guò)外殼釋放時(shí)才能有效地使用 RΘJC 電阻,例如金屬封裝或在 IC 封裝上應(yīng)用散熱器時(shí)。在所有其他情況下,使用 RΘJC 將無(wú)法準(zhǔn)確地估算真實(shí)的結(jié)溫。ΨJT 是通過(guò)假設(shè)通過(guò) IC 頂部的能量在測(cè)試環(huán)境和應(yīng)用環(huán)境中相似而通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出的。只要遵循建議的布局指南就可以將結(jié)溫估算精確到幾攝氏度內(nèi)。有關(guān)更多信息,請(qǐng)參閱“半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)”應(yīng)用報(bào)告。