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ZHCSSS3A March 2025 – September 2025 TPS7H5020-SEP , TPS7H5020-SP

PRODMIX

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|24
- MPDS372A

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|24
- PPTD395

訂購(gòu)信息

7.3.1 輸入電壓 (VIN) 和 VLDO

在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間，TPS7H502x 的輸入電壓必須介于 4.5V 和 14V 之間。VIN 和 AGND 之間需要至少為 0.1μF 的最小旁路電容。輸入旁路電容器應(yīng)盡量靠近控制器放置?？梢允褂迷?VIN、EN 和 GND 之間連接的電阻分壓器來(lái)調(diào)節(jié)輸入電壓 UVLO。

施加在 VIN 上的電壓用作內(nèi)部穩(wěn)壓器的輸入，用于在 VLDO 上生成電壓。VLDO 輸出可在 4.5V 至 5.5V 的范圍內(nèi)進(jìn)行編程。這樣，就可以使用控制器將 VLDO 連接到 PVIN 并驅(qū)動(dòng) GaN 功率半導(dǎo)體器件。對(duì) VLDO 進(jìn)行編程時(shí)，電阻分壓器包含兩個(gè)電阻器：R_VT 位于 VLDO 和 VLDO_FB 之間，R_VB 位于 VLDO_FB 和 AGND 之間?？梢允褂?方程式 1 來(lái)選擇合適的 R_VB 電阻器。

方程式 1.

R_{V B} = \frac{V_{R E F C A P}}{V_{L D O} - V_{R E F C A P}} \times R_{V T}

其中：

V_REFCAP 為 1.223V（典型值）
VLDO 是內(nèi)部穩(wěn)壓器所需的輸出電壓，介于 4.5V 至 5.5V 之間
R_VT 是用戶選擇的位于 VLDO 和 VLDO_FB 之間的頂部電阻器的值（即 10kΩ）

TPS7H5020-SEP TPS7H5020-SP TPS7H5021-SEP TPS7H5021-SP 用于對(duì) VLDO 輸出電壓進(jìn)行編程的配置

圖 7-1 用于對(duì) VLDO 輸出電壓進(jìn)行編程的配置

對(duì)于未將 VLDO 用作驅(qū)動(dòng)器級(jí)輸入的應(yīng)用，建議選擇合適的電阻器，以將 VLDO 設(shè)置為 5V。必須始終安裝電阻器 R_VT 和 R_VB。VLDO 穩(wěn)壓器的最大壓降電壓為 0.4V。請(qǐng)注意，隨著 VLDO 穩(wěn)壓器的余量電壓增加，其輸出電流容量也會(huì)增加，直至輸入電壓達(dá)到 7V。此時(shí)將充分發(fā)揮 VLDO 穩(wěn)壓器的電流能力。有關(guān)更多詳情，請(qǐng)參閱電氣特性。對(duì)于使用 VLDO 在 PVIN 提供穩(wěn)定輸入電壓以驅(qū)動(dòng) GaN FET 的應(yīng)用而言，這一點(diǎn)至關(guān)重要，因?yàn)?FET 所需的柵極電流由以下公式?jīng)Q定：

方程式 2.

I_{g} = Q_{g} \times f_{s w}

其中：

I_g 是 GaN FET 的柵極電流
Q_g 是 GaN FET 的總柵極電荷（可在制造商的數(shù)據(jù)表中找到）
f_sw 是電源轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率

在這種情況下，VLDO 提供給 FET 的外部電流不應(yīng)超過穩(wěn)壓器的能力。建議 VLDO 上連接的電容為 1μF。該器件的 EN 引腳也可以連接到 VLDO。