TPS7H5020-SP
- 輻射性能：
- 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對(duì)于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
- 控制器級(jí)和驅(qū)動(dòng)器級(jí)的輸入電壓范圍均為 4.5V 至 14V
- 專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器電壓輸入引腳 (PVIN) 可驅(qū)動(dòng)硅器件和 GaN 器件
- 1.2A 峰值拉電流和灌電流（12V 時(shí)）
- 為了驅(qū)動(dòng) GaN，可選擇將 VLDO 線性穩(wěn)壓器輸出連接到 PVIN
- 4.5V 至 5.5V 的可編程線性穩(wěn)壓器 (VLDO)
- 在溫度、輻射以及線路和負(fù)載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供 0.6V ±1% 的基準(zhǔn)電壓
- 開(kāi)關(guān)頻率范圍為 100kHz 至 1MHz
- 外部時(shí)鐘同步功能
- 可調(diào)斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)
- 通過(guò)符合 ASTM E595 標(biāo)準(zhǔn)的塑料封裝廢氣測(cè)試
TPS7H502x 是一款具有耐輻射電流模式單端 PWM 控制器，配備集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。TPS7H502x 集成了多個(gè)關(guān)鍵功能，例如軟啟動(dòng)、使能和可調(diào)斜率補(bǔ)償，同時(shí)保持較小的封裝尺寸。該控制器還具有 0.6V ± 1% 的電壓基準(zhǔn)容差，可支持高精度電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
TPS7H502x 可通過(guò) SYNC 引腳使用外部時(shí)鐘來(lái)運(yùn)行，也可使用 RT 引腳以用戶決定的頻率對(duì)內(nèi)部振蕩器進(jìn)行編程來(lái)運(yùn)行。該器件的開(kāi)關(guān)頻率能夠高達(dá) 1MHz?？刂破鞯尿?qū)動(dòng)器級(jí)具有 4.5V 至 14V 的寬輸入電壓范圍，并支持高達(dá) 1.2A 的峰值拉電流和灌電流。可編程穩(wěn)壓器 VLDO 也可以直接連接到驅(qū)動(dòng)器級(jí)的輸入端 (PVIN)，以便為 GaN FET 的運(yùn)行提供受控良好的柵極電壓?？删幊谭€(wěn)壓器可接受 4.5V 至 5.5V 范圍的電壓。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比，而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。該控制器支持多種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)?，包括反激式、正激式和升壓?/p>
技術(shù)文檔
| 類(lèi)型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS7H502x-SP 和 TPS7H502x-SEP 耐輻射 1MHz 電流模式 PWM 控制器（帶有集成的柵極驅(qū)動(dòng)器） 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 10月 27日 |
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SP QMLP Total Ionizing Dose (TID) Report | 2025年 9月 3日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SEP and TPS7H5020-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization | 2025年 9月 2日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H502X-SP | PDF | HTML | 2025年 8月 18日 | ||
| 選擇指南 | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 | ||||
| EVM 用戶指南 | TPS7H5020-SP 評(píng)估模塊 | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 | PDF | HTML | 2025年 3月 26日 |
設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)
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TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評(píng)估模塊
TPS7H5020FLYEVM — TPS7H5020-SEP 和 QMLP 反激式評(píng)估模塊
TPS7H5020FLYEVM 演示了一個(gè) TPS7H5020-SEP PWM 控制器的運(yùn)行情況，該控制器驅(qū)動(dòng)反激式轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲械?GaN FET 開(kāi)關(guān)元件。該 EVM 可以靈活地測(cè)試定制配置。提供了測(cè)試點(diǎn)和額外的元件空間，以便輕松進(jìn)行器件配置和性能驗(yàn)證。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 24 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
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- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
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- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。