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TPS7H5020-SEP

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Radiation-tolerant 100% duty cycle PWM controller for driving MOSFET or GaN FETs

產(chǎn)品詳情

Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 100
Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 100
HTSSOP (PWP) 24 49.92 mm2 7.8 x 6.4
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 控制器級和驅(qū)動器級的輸入電壓范圍均為 4.5V 至 14V
  • 專用柵極驅(qū)動器電壓輸入引腳 (PVIN) 可驅(qū)動硅器件和 GaN 器件
    • 1.2A 峰值拉電流和灌電流（12V 時）
    • 為了驅(qū)動 GaN，可選擇將 VLDO 線性穩(wěn)壓器輸出連接到 PVIN
    • 4.5V 至 5.5V 的可編程線性穩(wěn)壓器 (VLDO)
  • 在溫度、輻射以及線路和負載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供 0.6V ±1% 的基準電壓
  • 開關頻率范圍為 100kHz 至 1MHz
  • 外部時鐘同步功能
  • 可調(diào)斜率補償和軟啟動
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 控制器級和驅(qū)動器級的輸入電壓范圍均為 4.5V 至 14V
  • 專用柵極驅(qū)動器電壓輸入引腳 (PVIN) 可驅(qū)動硅器件和 GaN 器件
    • 1.2A 峰值拉電流和灌電流（12V 時）
    • 為了驅(qū)動 GaN，可選擇將 VLDO 線性穩(wěn)壓器輸出連接到 PVIN
    • 4.5V 至 5.5V 的可編程線性穩(wěn)壓器 (VLDO)
  • 在溫度、輻射以及線路和負載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供 0.6V ±1% 的基準電壓
  • 開關頻率范圍為 100kHz 至 1MHz
  • 外部時鐘同步功能
  • 可調(diào)斜率補償和軟啟動
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試

TPS7H502x 是一款具有耐輻射電流模式單端 PWM 控制器，配備集成的柵極驅(qū)動器，可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導體的轉(zhuǎn)換器設計。TPS7H502x 集成了多個關鍵功能，例如軟啟動、使能和可調(diào)斜率補償，同時保持較小的封裝尺寸。該控制器還具有 0.6V ± 1% 的電壓基準容差，可支持高精度電源轉(zhuǎn)換器設計。

TPS7H502x 可通過 SYNC 引腳使用外部時鐘來運行，也可使用 RT 引腳以用戶決定的頻率對內(nèi)部振蕩器進行編程來運行。該器件的開關頻率能夠高達 1MHz。控制器的驅(qū)動器級具有 4.5V 至 14V 的寬輸入電壓范圍，并支持高達 1.2A 的峰值拉電流和灌電流?？删幊谭€(wěn)壓器 VLDO 也可以直接連接到驅(qū)動器級的輸入端 (PVIN)，以便為 GaN FET 的運行提供受控良好的柵極電壓?？删幊谭€(wěn)壓器可接受 4.5V 至 5.5V 范圍的電壓。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比，而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。該控制器支持多種電源轉(zhuǎn)換器拓撲，包括反激式、正激式和升壓。

TPS7H502x 是一款具有耐輻射電流模式單端 PWM 控制器，配備集成的柵極驅(qū)動器，可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導體的轉(zhuǎn)換器設計。TPS7H502x 集成了多個關鍵功能，例如軟啟動、使能和可調(diào)斜率補償，同時保持較小的封裝尺寸。該控制器還具有 0.6V ± 1% 的電壓基準容差，可支持高精度電源轉(zhuǎn)換器設計。

TPS7H502x 可通過 SYNC 引腳使用外部時鐘來運行，也可使用 RT 引腳以用戶決定的頻率對內(nèi)部振蕩器進行編程來運行。該器件的開關頻率能夠高達 1MHz。控制器的驅(qū)動器級具有 4.5V 至 14V 的寬輸入電壓范圍，并支持高達 1.2A 的峰值拉電流和灌電流?？删幊谭€(wěn)壓器 VLDO 也可以直接連接到驅(qū)動器級的輸入端 (PVIN)，以便為 GaN FET 的運行提供受控良好的柵極電壓?？删幊谭€(wěn)壓器可接受 4.5V 至 5.5V 范圍的電壓。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比，而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。該控制器支持多種電源轉(zhuǎn)換器拓撲，包括反激式、正激式和升壓。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPS7H502x-SP 和 TPS7H502x-SEP 耐輻射 1MHz 電流模式 PWM 控制器（帶有集成的柵極驅(qū)動器） 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 10月 27日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H5020-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2025年 9月 10日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H5020-SEP Total Ionizing Dose Report 2025年 9月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H5020-SEP and TPS7H5020-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2025年 9月 2日
* 輻射與可靠性報告 Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H5020-SEP PDF | HTML 2025年 8月 25日
EVM 用戶指南 TPS7H5020-SEP 評估模塊 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 8月 23日
證書 TPS7H5020FLYEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 6月 5日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
EVM 用戶指南 TPS7H5020-SP 評估模塊 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 3月 26日
應用手冊 借助增強型航天塑料產(chǎn)品降低近地軌道任務的風險 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
電子書 電子產(chǎn)品輻射手冊 (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計和開發(fā)

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評估板

TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評估模塊

TPS7H5020EVM 演示了帶有集成柵極驅(qū)動器和 GaN FET 的單個 TPS7H5020-SP 電流模式 PWM 控制器在升壓配置中的工作情況。該電路板提供可用于組裝額外元件和測試點的空間，可實現(xiàn)對定制配置和性能有效性的測試。
用戶指南: PDF | HTML
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TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

TPS7H5020FLYEVM — TPS7H5020-SEP 和 QMLP 反激式評估模塊

TPS7H5020FLYEVM 演示了一個 TPS7H5020-SEP PWM 控制器的運行情況，該控制器驅(qū)動反激式轉(zhuǎn)換器拓撲中的 GaN FET 開關元件。該 EVM 可以靈活地測試定制配置。提供了測試點和額外的元件空間，以便輕松進行器件配置和性能驗證。

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TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS7H502X SIMPLIS Model

SLVMEC6.ZIP (25 KB) - SIMPLIS Model
下載
仿真模型

TPS7H502x PSpice Transient Model

SLVMEE9.ZIP (41 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

PMP23546 — 適用于偏置電源的 2.4W 多輸出 PSR 反激式參考設計

本參考設計采用 TPS7H5020-SEP 作為初級側(cè)穩(wěn)壓 (PSR) 反激式轉(zhuǎn)換器。輸入接受范圍為 22V 至 36V，生成以初級接地為基準的 12V 偏置電壓以及以另一個回路為基準的 12V 輸出。本參考設計可用于為 PMP23391 等隔離參考設計提供偏置電源。在此設計中，選擇控制器、半橋驅(qū)動器和 TI 氮化鎵場效應晶體管 (FET) 來滿足對地靜止軌道輻射 (GEO) 要求。這些元件可以互換以滿足其他任務規(guī)格。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (PWP) 24 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻