ZHCSYP6A February 1997 – July 2025 TLV2322 , TLV2324
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
測(cè)試時(shí)間不足是一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，尤其是在大批量、短測(cè)試時(shí)間的環(huán)境中測(cè)試 CMOS 器件時(shí)。CMOS 中的內(nèi)部電容天生高于雙極性和 BiFET 器件，并且比雙極性和 BiFET 器件需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間。隨著電源電平和溫度降低，該問(wèn)題變得更加明顯。