ZHCSYP6A February 1997 – July 2025 TLV2322 , TLV2324
PRODUCTION DATA
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CMOS 器件由于固有的寄生晶閘管而容易受到閂鎖效應(yīng)的影響，因此 TLV232x 輸入和輸出在設(shè)計(jì)上可承受 –100mA 浪涌電流而不會(huì)發(fā)生閂鎖效應(yīng)。但是，應(yīng)盡可能利用最佳實(shí)踐來降低發(fā)生閂鎖效應(yīng)的可能性。不要正向偏置內(nèi)部保護(hù)二極管。對于所施加的輸入和輸出電壓，不要超出電源電壓 300mV 以上。在脈沖發(fā)生器上使用電容性耦合時(shí)請小心。使用去耦電容器（典型值為 0.1μF）來分流電源瞬變，將該電容器置于電源導(dǎo)軌上盡可能靠近器件的位置。
如果發(fā)生閂鎖效應(yīng)，建立的電流路徑通常介于正電源導(dǎo)軌和接地之間，并由電源線上的浪涌、超過電源電壓的輸出和/或輸入電壓觸發(fā)。發(fā)生閂鎖效應(yīng)后，電流僅受電源阻抗和寄生晶閘管的正向電阻限制，通常會(huì)導(dǎo)致器件損壞。發(fā)生閂鎖效應(yīng)的可能性隨著溫度和電源電壓增加而增加。