ZHCSLU3C March 2020 – January 2021 LMQ61460-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說明
- 9.3.1 EN/SYNC 用于使能和 VIN UVLO
- 9.3.2 用于同步的 EN/SYNC 引腳
- 9.3.3 可調(diào)開關(guān)頻率
- 9.3.4 時(shí)鐘鎖定
- 9.3.5 PGOOD 輸出運(yùn)行
- 9.3.6 內(nèi)部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 輸入
- 9.3.7 自舉電壓和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引腳）
- 9.3.8 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
- 9.3.9 展頻
- 9.3.10 軟啟動(dòng)和從壓降中恢復(fù)
- 9.3.11 輸出電壓設(shè)置
- 9.3.12 過流和短路保護(hù)
- 9.3.13 熱關(guān)斷
- 9.3.14 輸入電源電流
- 9.4 器件功能模式
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RJR|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.3.8 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
為了在效率方面優(yōu)化 EMI，該器件旨在于高側(cè) FET 導(dǎo)通期間通過電阻器選擇高側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度。請(qǐng)參閱圖 9-7。通過 RBOOT 引腳消耗的電流（虛線環(huán)路）被放大并通過 CBOOT 消耗（虛線）。該電流用于導(dǎo)通高側(cè)電源 MOSEFT。
圖 9-7 顯示 RBOOT 功能的簡(jiǎn)化電路由于 RBOOT 對(duì) CBOOT 短路，因此上升時(shí)間非常短。因此，直到高于 150MHz 時(shí)，SW 節(jié)點(diǎn)諧波才會(huì)“滾降”。100Ω 的啟動(dòng)電阻對(duì)應(yīng)于大約 2.7ns 的 SW 節(jié)點(diǎn)上升，該 100Ω 啟動(dòng)電阻實(shí)際上消除了 SW 節(jié)點(diǎn)過沖。在大多數(shù)情況下，這種較長(zhǎng)的上升時(shí)間使 SW 節(jié)點(diǎn)諧波中的能量都能在 100MHz 附近滾降。滾降諧波可以消除許多應(yīng)用中對(duì)屏蔽和共模扼流圈的需求。請(qǐng)注意，上升時(shí)間隨著輸入電壓的增加而延長(zhǎng)。隨著 RBOOT 電阻升高，存儲(chǔ)電荷產(chǎn)生的噪聲也顯著降低。采用較低壓擺率切換也會(huì)降低效率。