ZHCSLU3C March 2020 – January 2021 LMQ61460-Q1
PRODUCTION DATA
該器件通過針對高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。
高側(cè) MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現(xiàn)的。當高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導(dǎo)通時,將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期,將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值,或與電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于電壓環(huán)路具有最大值并且斜率補償隨占空比增加,因此當占空比高于 35% 時,高側(cè)電流限值會隨著占空比的增加而減小。請參閱圖 9-12。
圖 9-12 允許流經(jīng) HS FET 的最大電流 - LMQ61460-Q1 占空比的函數(shù)當?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時,也會檢測和監(jiān)控開關(guān)電流。與高側(cè)器件一樣,低側(cè)器件會根據(jù)電壓控制環(huán)路低側(cè)電流限值的命令關(guān)斷。如果低側(cè)開關(guān)電流在開關(guān)周期結(jié)束時高于 ILS_Limit,則開關(guān)周期會延長,直到低側(cè)電流降至限值以下。一旦低側(cè)電流降至其限值以下,低側(cè)開關(guān)就會關(guān)斷,并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個時鐘周期,高側(cè)開關(guān)就會再次導(dǎo)通。
圖 9-13 電流限值波形由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間,因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值。使用了遲滯控制,并且當輸出電壓接近零時,電流不會增加。
如果存在極端過載情況,該器件會采用斷續(xù)過流保護,并且在連續(xù) 128 個開關(guān)周期內(nèi)滿足以下條件:
在斷續(xù)模式下,器件會自行關(guān)斷,并在 tW 后嘗試軟啟動。斷續(xù)模式有助于在嚴重過流和短路情況下降低器件功耗。請參閱圖 9-14。
一旦消除過載,器件就會像在軟啟動中一樣恢復(fù);請參閱圖 9-15。
圖 9-14 斷續(xù)期間的電感器電流突發(fā)
圖 9-15 短路恢復(fù)