ZHCSRR6E November 2023 – August 2025 LMKDB1102 , LMKDB1104 , LMKDB1108 , LMKDB1120
PRODUCTION DATA
在每個(gè)電源引腳附近放置一個(gè) 0.1μF 電容器。為了更大程度地降低 VDDA、VDD_IN0 和 VDD_IN1 上的噪聲,請?jiān)谝_旁放置一個(gè) 2.2Ω 的電阻器??梢詫⑺须娫匆_都分組到一個(gè)電源軌上。TI 建議對整個(gè)芯片使用鐵氧體磁珠和一個(gè) 10μF 電容器來接地。圖 10-4 和圖 10-5 展示了一個(gè)示例電源原理圖。
如果兩個(gè)輸入均用于多路復(fù)用器器件,并且兩個(gè)輸入具有不同的頻率(包括使用 SSC 的 PCIe 和不使用 SSC 的 PCIe),則通過添加更多鐵氧體磁珠來隔離輸入和相應(yīng)的輸出組。