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ZHCSRR6E November 2023 – August 2025 LMKDB1102 , LMKDB1104 , LMKDB1108 , LMKDB1120

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

REY|20
- MPQF767

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

9.3 LMKDB1104 和 LMKDB1104FS 寄存器

表 9-53 列出了 LMKDB1104 和 LMKDB1104FS 寄存器的存儲器映射寄存器。表 9-53 中未列出的所有寄存器偏移地址都應(yīng)視為保留的位置，并且不得修改寄存器內(nèi)容。

表 9-53 LMKDB1104 和 LMKDB1104FS 寄存器

偏移	首字母縮寫詞	寄存器名稱	部分
0h	R0	CLK2 和 CLK3 的輸出使能控制	節(jié) 9.3.1
1h	R1	CLK0 和 CLK1 的輸出使能控制	節(jié) 9.3.2
2h	R2	CLK2 和 CLK3 的 OE 引腳回讀	節(jié) 9.3.3
3h	R3	CLK0 和 CLK1 的 OE 引腳回讀	節(jié) 9.3.4
4h	R4	SBI_EN 和 CLKIN AOD 使能控制的回讀狀態(tài)	節(jié) 9.3.5
5h	R5	器件信息	節(jié) 9.3.6
6h	R6	器件信息（續(xù)）	節(jié) 9.3.7
7h	R7	SMBus 字節(jié)計數(shù)器	節(jié) 9.3.8
8h	R8	屏蔽 CLK3 和 CLK2 的邊帶禁用	節(jié) 9.3.9
9h	R9	屏蔽 CLK1 和 CLK0 的邊帶禁用	節(jié) 9.3.10
Bh	R11	CLK3 和 CLK2 邊帶禁用回讀	節(jié) 9.3.11
Ch	R12	CLK1 和 CLK0 邊帶禁用回讀	節(jié) 9.3.12
11h	R17	輸出幅度	節(jié) 9.3.13
12h	R18	輸入配置、在 PD 中保存配置、壓擺率選擇模式、SMB SDATA 監(jiān)測和 LOS 回讀	節(jié) 9.3.14
14h	R20	CLK2 和 CLK3 的輸出壓擺率選擇 MSB	節(jié) 9.3.15
15h	R21	CLK0 和 CLK1 的輸出壓擺率選擇 MSB	節(jié) 9.3.16
26h	R38	不可清除的 SMBUS 寫入鎖定	節(jié) 9.3.17
27h	R39	LOS 事件狀態(tài)和可清除的 SMBus 寫入鎖定	節(jié) 9.3.18
5Bh	R91	壓擺率速度選項 1 和 2 分配	節(jié) 9.3.19
5Ch	R92	壓擺率速度選項 3 和 4 分配	節(jié) 9.3.20
62h	R98	CLK0 和 CLK1 的輸出壓擺率選擇 LSB	節(jié) 9.3.21
63h	R99	CLK2 和 CLK3 的輸出壓擺率選擇 LSB	節(jié) 9.3.22

復(fù)雜的位訪問類型經(jīng)過編碼可適應(yīng)小型表單元。表 9-54 展示了適用于此部分中訪問類型的代碼。

表 9-54 LMKDB1104 和 LMKDB1104FS 訪問類型代碼

訪問類型	代碼	說明
讀取類型
R	R	讀取
寫入類型
W	W	寫入
W1C	W 1C	寫入 1 以清零
復(fù)位或默認(rèn)值
-n		復(fù)位后的值或默認(rèn)值

9.3.1 R0 寄存器（偏移 = 0h）[復(fù)位 = 24h]

R0 如表 9-55 所示。

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表 9-55 R0 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	CLK_EN_2	R/W	1h	CLK2 的輸出使能 0h = 輸出已禁用（低電平/低電平） 1h = 輸出已啟用
4:3	RESERVED	R	0h	保留
2	CLK_EN_3	R/W	1h	CLK3 的輸出使能 0h = 輸出已禁用（低電平/低電平） 1h = 輸出已啟用
1:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.2 R1 寄存器（偏移 = 1h）[復(fù)位 = 22h]

R1 如表 9-56 所示。

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表 9-56 R1 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	CLK_EN_0	R/W	1h	CLK0 的輸出使能 0h = 輸出已禁用（低電平/低電平） 1h = 輸出已啟用
4:2	RESERVED	R	0h	保留
1	CLK_EN_1	R/W	1h	CLK1 的輸出使能 0h = 輸出已禁用（低電平/低電平） 1h = 輸出已啟用
0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.3 R2 寄存器（偏移 = 2h）[復(fù)位 = 00h]

R2 如表 9-57 所示。

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表 9-57 R2 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	RB_OEb_2	R	0h	OEb2 的狀態(tài)
4:3	RESERVED	R	0h	保留
2	RB_OEb_3	R	0h	OEb3 的狀態(tài)
1:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.4 R3 寄存器（偏移 = 3h）[復(fù)位 = 00h]

R3 如表 9-58 所示。

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表 9-58 R3 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	RB_OEb_0	R	0h	OEb0 的狀態(tài)
4:2	RESERVED	R	0h	保留
1	RB_OEb_1	R	0h	OEb1 的狀態(tài)
0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.5 R4 寄存器（偏移 = 4h）[復(fù)位 = 10h]

R4 如表 9-59 所示。

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表 9-59 R4 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:5	RESERVED	R	0h	保留
4	AOD_ENABLE	R/W	1h	當(dāng)檢測到 LOS 事件時，啟用 CLKIN 的自動輸出禁用 (AOD)，切換到低電平/低電平。有關(guān)詳細信息，請參閱“自動輸出禁用”部分。 0h = 不活動 1h = 活動
3:1	RESERVED	R	0h	保留
0	RB_SBI_ENQ	R	0h	SBI_ENQ 的狀態(tài)

9.3.6 R5 寄存器（偏移 = 5h）[復(fù)位 = 0Ah]

R5 如表 9-60 所示。

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表 9-60 R5 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:4	REV_ID	R	0h	修訂 ID
3:0	VENDOR_ID	R	Ah	供應(yīng)商 ID

9.3.7 R6 寄存器（偏移 = 6h）[復(fù)位 = 04h]

R6 如表 9-61 所示。

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表 9-61 R6 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:0	DEV_ID	R	4h	器件 ID

9.3.8 R7 寄存器（偏移 = 7h）[復(fù)位 = 07h]

R7 如表 9-62 所示。

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表 9-62 R7 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:5	RESERVED	R	0h	保留
4:0	SMBUS_BC	R/W	7h	SMBUS 塊讀取字節(jié)計數(shù)

9.3.9 R8 寄存器（偏移 = 8h）[復(fù)位 = 00h]

R8 如表 9-63 所示。

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表 9-63 R8 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SBI_MASK_2	R/W	0h	屏蔽 CLK2 的邊帶禁用
4:3	RESERVED	R	0h	保留
2	SBI_MASK_3	R/W	0h	屏蔽 CLK3 的邊帶禁用
1:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.10 R9 寄存器（偏移 = 9h）[復(fù)位 = 00h]

R9 如表 9-64 所示。

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表 9-64 R9 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SBI_MASK_0	R/W	0h	屏蔽 CLK0 的邊帶禁用
4:2	RESERVED	R	0h	保留
1	SBI_MASK_1	R/W	0h	屏蔽 CLK1 的邊帶禁用
0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.11 R11 寄存器（偏移 = Bh）[復(fù)位 = 24h]

R11 如表 9-65 所示。

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表 9-65 R11 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SBI_CLK_2	R	1h	CLK2 邊帶禁用回讀
4:3	RESERVED	R	0h	保留
2	SBI_CLK_3	R	1h	CLK3 邊帶禁用回讀
1:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.12 R12 寄存器（偏移 = Ch）[復(fù)位 = 22h]

R12 如表 9-66 所示。

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表 9-66 R12 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SBI_CLK_0	R	1h	CLK0 邊帶禁用回讀
4:2	RESERVED	R	0h	保留
1	SBI_CLK_1	R	1h	CLK1 邊帶禁用回讀
0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.13 R17 寄存器（偏移 = 11h）[復(fù)位 = 66h]

R17 如表 9-67 所示。

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表 9-67 R17 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:4	AMP	R/W	6h	全局差分輸出控制，約 0.6V 至 1V 25mV/步長（默認(rèn)值 = 0.75V） 0h = 600mV 1h = 625mV 2h = 650mV 3h = 675mV 4h = 700mV 5h = 725mV 6h = 750mV 7h = 775mV 8h = 800mV 9h = 825mV Ah = 850mV Bh = 875mV Ch = 900mV Dh = 925mV Eh = 950mV Fh = 975mV
3:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.14 R18 寄存器（偏移 = 12h）[復(fù)位 = 0Ah]

R18 如表 9-68 所示。

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表 9-68 R18 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	RX_CLKIN_EN_AC_INPUT	R/W	0h	當(dāng) CLKIN 是交流耦合時啟用接收器偏置 0h = 直流耦合輸入 1h = 交流耦合輸入
6	RX_CLKIN_EN_RTERM	R/W	0h	啟用 CLKIN1 上的端接電阻器 0h = 輸入端接未激活 1h = 輸入端接激活
5	RESERVED	R	0h	保留
4	SLEWRATE_CTRL_MODE	R	0h	引腳模式和寄存器模式之間的壓擺率選擇首選項。 0h = 引腳控制 1h = 寄存器控制
3	PD_RESTOREB	R	1h	斷電時保存配置 0h = 配置已清除 1h = 配置已保存
2	RESERVED	R	0h	保留
1	SDATA_TIMEOUT_EN	R	1h	啟用 SMBus SDATA 超時監(jiān)控 0h = 禁用 SDATA 超時 1h = 啟用 SDATA 超時
0	LOSb_RB	R	0h	實時回讀丟失檢測塊輸出 0h = 檢測到 LOS 事件 1h = 未檢測到 LOS 事件

9.3.15 R20 寄存器（偏移 = 14h）[復(fù)位 = 24h]

R20 如表 9-69 所示。

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表 9-69 R20 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SLEWRATE_SEL_CLK2_MSB	R/W	1h	MSB CLK2 壓擺率選擇
4:3	RESERVED	R	0h	保留
2	SLEWRATE_SEL_CLK3_MSB	R/W	1h	MSB CLK3 壓擺率選擇
1:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.16 R21 寄存器（偏移 = 15h）[復(fù)位 = 22h]

R21 如表 9-70 所示。

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表 9-70 R21 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5	SLEWRATE_SEL_CLK0_MSB	R/W	1h	MSB CLK0 壓擺率選擇
4:2	RESERVED	R	0h	保留
1	SLEWRATE_SEL_CLK1_MSB	R/W	1h	MSB CLK1 壓擺率選擇
0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.17 R38 寄存器（偏移 = 26h）[復(fù)位 = 00h]

R38 如表 9-71 所示。

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表 9-71 R38 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:1	RESERVED	R	0h	保留
0	WRITE_LOCK	R	0h	不可清除的 SMBus 寫入鎖定位。當(dāng)寫入 1 時，無法寫入 SMBus 控制寄存器。該位只能通過下電上電來清除。 0h = SMBus 未進行寫入鎖定 1h = SMBus 已進行寫入鎖定

9.3.18 R39 寄存器（偏移 = 27h）[復(fù)位 = 00h]

R39 如表 9-72 所示。

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表 9-72 R39 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:2	RESERVED	R	0h	保留
1	LOS_EVT	R	0h	LOS 事件狀態(tài)。處于高電平時，指示檢測到 LOS 事件?？赏ㄟ^寫入 1 來清除。 0h = 未檢測到 LOS 事件 1h = 檢測到 LOS 事件
0	WRITE_LOCK_RW1C	R/W1C	0h	可清除的 SMBus 寫入鎖定位。當(dāng)寫入 1 時，無法寫入 SMBus 控制寄存器?？赏ㄟ^向該位寫入 1 來清除該位。 0h = SMBus 未進行寫入鎖定 1h = SMBus 已進行寫入鎖定

9.3.19 R91 寄存器（偏移 = 5Bh）[復(fù)位 = 60h]

R91 如表 9-73 所示。

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表 9-73 R91 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:4	SLEWRATE_OPT_2	R/W	2h/6h	有四個寄存器分配，每個分配存儲一個壓擺率值（從 16 個可用壓擺率值中選擇）。此寄存器位與第 2 個選項相關(guān)。有關(guān)詳細信息，請參閱“可編程輸出壓擺率”部分。 0h = 0（最快） 1h = 1 2h = 2（LMKDB1104FS 的默認(rèn)設(shè)置） 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6（LMKDB1104 的默認(rèn)設(shè)置） 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15（最慢）
3:0	SLEWRATE_OPT_1	R/W	0h	有四個寄存器分配，每個分配存儲一個壓擺率值（從 16 個可用壓擺率值中選擇）。此寄存器位與第 1 個選項相關(guān)。有關(guān)詳細信息，請參閱“可編程輸出壓擺率”部分。 0h = 0（最快） 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15（最慢）

9.3.20 R92 寄存器（偏移 = 5Ch）[復(fù)位 = FAh]

R92 如表 9-74 所示。

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表 9-74 R92 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7:4	SLEWRATE_OPT_4	R/W	Fh	有四個寄存器分配，每個分配存儲一個壓擺率值（從 16 個可用壓擺率值中選擇）。此寄存器位與第 4 個選項相關(guān)。有關(guān)詳細信息，請參閱“可編程輸出壓擺率”部分。 0h = 0（最快） 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15（最慢）
3:0	SLEWRATE_OPT_3	R/W	6h/Ah	有四個寄存器分配，每個分配存儲一個壓擺率值（從 16 個可用壓擺率值中選擇）。此寄存器位與第 3 個選項相關(guān)。有關(guān)詳細信息，請參閱“可編程輸出壓擺率”部分。 0h = 0（最快） 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6（LMKDB1104FS 的默認(rèn)設(shè)置） 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10（LMKDB1104 的默認(rèn)設(shè)置） Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15（最慢）

9.3.21 R98 寄存器（偏移 = 62h）[復(fù)位 = 00h]

R98 如表 9-75 所示。

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表 9-75 R98 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	SLEWRATE_SEL_CLK1_LSB	R/W	0h	LSB CLK1 壓擺率控制
6:5	RESERVED	R	0h	保留
4	SLEWRATE_SEL_CLK0_LSB	R/W	0h	LSB CLK0 壓擺率控制
3:0	RESERVED	R	0h	保留

9.3.22 R99 寄存器（偏移 = 63h）[復(fù)位 = 00h]

R99 如表 9-76 所示。

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表 9-76 R99 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	SLEWRATE_SEL_CLK3_LSB	R/W	0h	LSB CLK3 壓擺率控制
5:3	RESERVED	R	0h	保留
2	SLEWRATE_SEL_CLK2_LSB	R/W	0h	LSB CLK2 壓擺率控制
1:0	RESERVED	R	0h	保留