ZHCST26E May 1999 – December 2024 LM6172
PRODUCTION DATA
器件中允許的最大功耗定義為：
其中
例如，對于采用 SOIC-8 封裝的 LM6172，25°C 環(huán)境溫度下的最大功耗為 726mW。
熱阻 θ JA 取決于芯片尺寸、封裝尺寸和封裝材料等參數(shù)。芯片尺寸和封裝越小，θJA 就越高。8 引腳 PDIP 封裝的熱阻 (108°C/W) 低于 8 引腳 SOIC 封裝的熱阻 (172°C/W)。因此，要獲得更高的耗散能力，請使用 8 引腳 PDIP。
器件中耗散的總功率還可計(jì)算為：
其中
此外，
例如，使用方程式 3 可求解 LM6172 的總功率耗散，其中 VS = ±15V、兩個(gè)通道的輸出按壓擺幅為 10V 且負(fù)載為 1kΩ：