ZHCSTC5D October 2023 – September 2025 LM51772
PRODUCTION DATA
LM51772 具有四個(gè)內(nèi)部邏輯電平 nMOS 柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器可以維持降壓/升壓運(yùn)行所需的兩個(gè)半橋的高頻開關(guān)。如果器件處于升壓或降壓模式,則另一個(gè)半橋高側(cè)開關(guān)需要持久導(dǎo)通。內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器通過共享來自另一個(gè)正在開關(guān)的半橋的電流來實(shí)現(xiàn)該功能。因此,由于無需額外的電荷泵,可以提供最小的靜態(tài)電流。由于具有高驅(qū)動(dòng)電流能力,LM51772 可以支持各種外部功率 FET 并且可以并聯(lián)運(yùn)行這些 FET。
LO 和 HO 輸出受擊穿保護(hù),可防止兩個(gè)輸出同時(shí)導(dǎo)通。如果降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的 PWM 調(diào)制邏輯將 LOx 引腳關(guān)閉,則在滿足以下條件之前不會(huì)開啟 HOx 引腳:
柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)電源電壓由一個(gè)額外的自舉 UVLO 比較器進(jìn)行監(jiān)測(cè)。該比較器會(huì)監(jiān)測(cè) SWx 和 HBx 之間的差分電壓。如果電壓降至閾值以下,降壓/升壓轉(zhuǎn)換器將關(guān)閉。在通過軟啟動(dòng)方案達(dá)到正向閾值后,該器件會(huì)自動(dòng)重新啟動(dòng)。
此外,LM51772 還會(huì)監(jiān)測(cè) SWx 和 HBx 之間的上限電壓。如果該電壓超過鉗位電路的閾值電壓,LM51772 會(huì)激活內(nèi)部電流源來拉低電壓。
死區(qū)時(shí)間值可由寄存器 MFR_SPECIFIC_D6 寄存器字段說明中的 SEL_SCALE_DT、SEL_MIN_DEADTIME_GDRV 進(jìn)行控制。
如果在應(yīng)用中未使用 I2C 接口,也可以通過 CFG-PIN(表 7-6)選擇 SEL_SCALE_DT。如果啟用,通常會(huì)將默認(rèn)死區(qū)時(shí)間設(shè)置增加 15ns。
此外,可以讓高側(cè)和低側(cè)之間的轉(zhuǎn)換(死區(qū))時(shí)間對(duì)頻率具有可選的依賴性。這樣可以解決硅 MOSFET Qg 在具有低開關(guān)頻率的高功率應(yīng)用和具有高開關(guān)頻率的低功耗應(yīng)用中常見的差異。啟用該選項(xiàng)后,當(dāng)開關(guān)頻率設(shè)置為更高時(shí),死區(qū)時(shí)間會(huì)更短。可以使用寄存器 MFR_SPECIFIC_D6 寄存器字段說明中的寄存器 EN_CONST_TDEAD 啟用或禁用頻率依賴性。
