ZHCSTC5D October 2023 – September 2025 LM51772
PRODUCTION DATA
輸出側(cè) MOSFET QH2 (Q4) 和 QL2 (Q3) 會(huì)看到 48V 的輸出電壓以及開關(guān)期間 SW2 上出現(xiàn)的額外瞬態(tài)尖峰。因此,QH2 和 QL2 的額定電壓必須為 58V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓必須小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動(dòng)或過載情況下可能無法完全增強(qiáng)。
降壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗根據(jù)以下公式進(jìn)行近似計(jì)算:
升壓運(yùn)行模式下 QL2 中的功率損耗分別由以下兩個(gè)公式給出的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗分量組成:
和
上升 (tr) 和下降 (tf) 時(shí)間可以基于 MOSFET 數(shù)據(jù)表信息或在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行測量。通常,RDSON 較?。▽?dǎo)通損耗較?。┑?MOSFET 具有較長的上升和下降時(shí)間(開關(guān)損耗較大)。
升壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗如下所示: