ZHCSZ26 October 2025 LM251772-Q1
PRODUCTION DATA
輸出側(cè) MOSFET QH2 (Q4) 和 QL2 (Q3) 會(huì)看到 48V 的輸出電壓以及開(kāi)關(guān)期間 SW2 上出現(xiàn)的額外瞬態(tài)尖峰。因此,QH2 和 QL2 的額定電壓必須達(dá)到 58V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動(dòng)或過(guò)載狀況下不會(huì)始終完全增強(qiáng)。
降壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗根據(jù)以下公式進(jìn)行近似計(jì)算:
升壓運(yùn)行模式下 QL2 中的功率損耗分別由以下兩個(gè)公式給出的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗分量組成:
和
上升 (tr) 和下降 (tf) 時(shí)間可根據(jù) MOSFET 數(shù)據(jù)表獲取,或通過(guò)實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè)獲得。通常,RDSON 較小(導(dǎo)通損耗較?。┑?MOSFET 具有較長(zhǎng)的上升和下降時(shí)間(開(kāi)關(guān)損耗較大)。
升壓運(yùn)行模式下 QH2 中的功率損耗如下所示: