ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電源引腳電壓 | PVDD | -0.3 | 65 | V |
| 高側(cè) MOSFET 漏極引腳電壓 | VDRAIN | -0.3 | 65 | V |
| 接地引腳之間的電壓差 | AGND、GND | -0.3 | 0.3 | V |
| 電荷泵引腳電壓 | CPH | -0.3 | VGVDD + 0.3 | V |
| 電荷泵引腳電壓 | CPL | -0.3 | VGVDD + 0.9 | V |
| VPVDD + 0.6 | ||||
| 涓流電荷泵高側(cè)引腳電壓 | CPTH | -0.3 | 80 | V |
| 涓流電荷泵低側(cè)引腳電壓 | CPTL | -0.3 | VVDRAIN + 0.3 | V |
| 涓流電荷泵輸出引腳電壓 | VCP | -0.3 | 80 | V |
| 柵極驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器引腳電壓 VGVDD | GVDD | -0.3 | 18 | V |
| 邏輯引腳電壓 | nSLEEP | -0.3 | 65 | V |
| 邏輯引腳電壓 | DRVOFF | -0.3 | 65 | V |
| 邏輯引腳電壓 | INHx、INLx、nFAULT、SCLK、SDO、SDI、nSCS | -0.3 | 6.5 | V |
| 邏輯引腳電壓 | INHx、INLx、nFAULT、SCLK、SDO、SDI、nSCS：瞬態(tài) | -0.3 | 7.0 | V |
| 自舉引腳電壓 | BSTx，持續(xù)模式 | -0.3 | 80 | V |
| BSTx，以 SHx 為基準(zhǔn) | -0.3 | 20 | V | |
| BSTx，以 GHx 為基準(zhǔn) | -0.3 | 20 | V | |
| 自舉引腳瞬態(tài)電流 | BSTx、瞬態(tài) (500ns)、假設(shè)外部元件 RBST = 2? 且條件 V(RBST) = -7V、 | 3.5 | A | |
| 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GHx，持續(xù)模式 | -8 | 80 | V |
| 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GHx，瞬態(tài) 1us | -15 | 80 | V |
| 與 SHx 相關(guān)的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GHx - SHx | -0.3 | BSTx + 0.3 | V |
| 高側(cè)源極引腳電壓 | SHx，持續(xù)模式 | -8 | 70 | V |
| 高側(cè)源極引腳電壓 | SHx，瞬態(tài) 1us | -15 | 72 | V |
| 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GLx，以 SLx (LSS) 為基準(zhǔn) | -0.3 | 20 | V |
| 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GLx，以 GVDD 為基準(zhǔn)，VGLx - VGVDD（如果 VGLx > VGVDD） | 0.3 | V | |
| 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GLx，持續(xù)模式 | -8 | 20 | V |
| 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GLx，瞬態(tài) 1us | -15 | 20 | V |
| 低側(cè)源極檢測(cè)引腳電壓 | SLx，持續(xù)模式 | -8 | VGVDD | V |
| 低側(cè)源極檢測(cè)引腳電壓 | SLx，瞬態(tài) 1us | -15 | VGVDD | V |
| 柵極驅(qū)動(dòng)電流 | GHx、GLx | 受內(nèi)部限制 | 受內(nèi)部限制 | A |
| 基準(zhǔn)輸入引腳電壓 | VREF | -0.3 | 6 | V |
| 并聯(lián)放大器輸入引腳電壓 | SNx、SPx，持續(xù)模式 | -5 | 5 | V |
| 并聯(lián)放大器輸入引腳電壓 | SNx、SPx，瞬態(tài) 1μs | -15 | 15 | V |
| 分流放大器輸出引腳電壓 | SOx | -0.3 | VREF + 0.3 | V |
| 電源瞬態(tài)電壓斜坡 | PVDD、VDRAIN、VREF | 3 | V/μs | |
| 高側(cè)源級(jí)壓擺率 | SHx，VBSTx - VSHx ≥ 5.5V nSLEEP = 高電平且 ENABLE_DRV = 1b |
4 | V/ns | |
| 環(huán)境溫度，TA | 環(huán)境溫度，TA | -40 | 125 | °C |
| 結(jié)溫，TJ | 結(jié)溫，TJ | -40 | 150 | °C |
| 貯存溫度，Tstg | -65 | 150 | °C | |