ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 6.3.2 低側(cè)電流檢測放大器
- 6.3.3 柵極驅(qū)動器關(guān)斷
- 6.3.4
柵極驅(qū)動器保護(hù)電路
- 6.3.4.1 PVDD 電源欠壓警告 (PVDD_UVW)
- 6.3.4.2 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 6.3.4.3 PVDD 電源過壓故障 (PVDD_OV)
- 6.3.4.4 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 6.3.4.5 GVDD 過壓故障 (GVDD_OV)
- 6.3.4.6 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 6.3.4.7 BST 過壓故障 (BST_OV)
- 6.3.4.8 VCP 欠壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.9 VCP 過壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.10 VDRAIN 欠壓故障 (VDRAIN_UV)
- 6.3.4.11 VDRAIN 過壓故障 (VDRAIN_OV)
- 6.3.4.12 MOSFET VGS 監(jiān)測保護(hù)
- 6.3.4.13 MOSFET VDS 過流保護(hù) (VDS_OCP)
- 6.3.4.14 VSENSE 過流保護(hù) (SEN_OCP)
- 6.3.4.15 相位比較器
- 6.3.4.16 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 6.3.4.17 熱警告 (OTW)
- 6.3.4.18 OTP CRC
- 6.3.4.19 SPI 看門狗計(jì)時(shí)器
- 6.3.4.20 相位診斷
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PHP|48
訂購信息
6.3.4.12 MOSFET VGS 監(jiān)測保護(hù)
DRV8334 采用集成式柵源電壓 (VGS) 監(jiān)測器來監(jiān)測外部 MOSFET 的狀態(tài)。當(dāng)命令 MOSFET 的輸出狀態(tài)為關(guān)閉（INxx = 低電平）時(shí)，監(jiān)測器會確保輸出保持關(guān)斷狀態(tài)。如果在任何時(shí)候，VGS 電壓超過 VGS 閾值的持續(xù)時(shí)間超過 tvgs_dg，則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平，并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標(biāo)志。當(dāng) MOSFET 的輸出狀態(tài)被命令為開啟（INxx = 高電平）時(shí)，監(jiān)視器會驗(yàn)證輸出是否開啟，以及 MOSFET 是否在足夠的 VGS 驅(qū)動下以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)增強(qiáng)。如果在任何時(shí)候，VGS 降至 VGS 閾值以下的持續(xù)時(shí)間超過 tvgs_dg，則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平，并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標(biāo)志。VGS 監(jiān)測消隱時(shí)間可以通過 VGS_BLK 寄存器字段進(jìn)行調(diào)整。TI 建議根據(jù)外部 MOSFET 的預(yù)期開關(guān)時(shí)間設(shè)置該參數(shù)值。VGS 檢測抗尖峰脈沖時(shí)間可以通過 VGS_DEG 寄存器字段進(jìn)行調(diào)整。在 PWM 上升/下降信號之后經(jīng)過 VGS 消隱時(shí)間后，抗尖峰脈沖計(jì)時(shí)器才會啟動。TI 建議根據(jù)系統(tǒng)噪聲級別和可接受的容錯(cuò)時(shí)序設(shè)置該參數(shù)值。
圖 6-16 DRV8334VGS 監(jiān)測器
圖 6-17 DRV8334VGS 監(jiān)測時(shí)序（輸出高電平）
圖 6-18 DRV8334VGS 監(jiān)測時(shí)序（輸出低電平）