ZHCSXV1A March 2025 – August 2025 DRV8263-Q1
PRODUCTION DATA
使用額定電壓為 VM、推薦值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將每個(gè) VM 引腳旁路至接地。此類電容器盡可能靠近 VM 引腳放置,并通過(guò)較寬的布線或接地平面與器件 GND 引腳連接。
需要額外的大容量電容器來(lái)繞過(guò)高電流路徑。大容量電容的放置方法可盡可能縮短大電流路徑的長(zhǎng)度。連接金屬走線盡可能寬,并具有許多連接 PCB 層的過(guò)孔。這些做法可更大限度地減少電感并允許大容量電容器提供大電流。
使用推薦值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷 6.3V 旁路電容器將 VDD 引腳旁路至接地。