為了使用 BUF802 實現(xiàn)出色性能，需要特別注意電路板布局、寄生效應和無源元件的選擇。請考慮以下情況：
- S21 傳遞函數(shù)中的峰值：保持最小布線跡線長度對于防止 BUF802 的 S21 傳遞函數(shù)中的峰值至關重要。跟蹤電感會與 BUF802 的輸入電容形成諧振電路，從而在 S21 響應中產生峰值。添加一個與直流阻斷電容器串聯(lián)的小電阻器（圖 8-10 中的 R5），以抑制跟蹤電感和 BUF802 的輸入電容產生的 LC 諧振。選擇具有低等效串聯(lián)電感 (ESL) 的串聯(lián)電容器（圖 8-10 中的 C7），以更大限度地降低總電感。
- 電源旁路電容器：將電源旁路電容器安裝在盡可能靠近電源引腳的位置，并與 BUF802 安裝在 PCB 的同一側。如圖 8-10 中所示，選擇低電感 LICC 電容器（C5、C6、C13 和 C10）以最大限度地減小 BUF802 與旁路電容器之間的高頻率阻抗。在旁路電容器與 GND 之間使用多個過孔，以減少串聯(lián)電感。如圖 8-10 中所示，還應在 50Ω 輸入終端電阻 (R3) 上使用多個過孔連接到 GND。將旁路和端接過孔連接到實心的 GND 平面。
- 高精度信號路徑：由精密運算放大器和分立式元件組成，信號路徑可以調整和移動，以優(yōu)先滿足前述兩點。在圖 8-12 中，精密元件放置在 PCB 的另一側，如 BUF802 所示。
- 散熱焊盤：具有良好的導熱性，但與芯片電氣絕緣。這種配置使電路設計人員可以靈活地將散熱焊盤連接到任意電壓。選擇熱容量最大的電源平面或接地平面，以實現(xiàn)高效散熱。