ZHCY154B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
IQ-GND、ISHDN 和 VOUT 精度的變化都是工藝技術(shù)組件可制造性的良好指標(biāo)。表 1（來自 TPS7A02 具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的毫微功耗 IQ、25nA、200mA 低壓降穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表）顯示了在 -40°C 至 85°C 溫度范圍內(nèi)無負(fù)載情況下 IGND 在 25nA 至 60nA 的范圍內(nèi)變化。這種溫度變化代表了電流鏡失配和 IBIAS 生成控制。ISHDN在室溫下的變化范圍為3nA 至 10nA ，是功率 FET 和數(shù)字邏輯泄漏控制的良好指標(biāo)。VOUT 精度隨溫度變化小于 1.5%，這是亞閾值失配控制的良好指標(biāo)。