ZHCY154B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
IQ 降低也可能導(dǎo)致更大的無(wú)源器件或 IC 封裝尺寸所需的電路板面積增加。較大的外部無(wú)源器件，（例如用于 LDO 和直流/直流轉(zhuǎn)換器的大值電容器）在納米功力器件中很常見(jiàn)，通常用于補(bǔ)償較差的瞬態(tài)性能。芯片面積較大可直接導(dǎo)致封裝面積較大。
在對(duì) IQ 小于 1μA 的芯片拆卸目視檢查時(shí)，電阻器和電容器占內(nèi)部非場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 芯片面積的 20% 以上。盡管解決 IQ-面積問(wèn)題的解決方案有很多，但過(guò)濾市場(chǎng)上最佳解決方案的一種簡(jiǎn)單方法是應(yīng)用簡(jiǎn)單的 FOM：IQ 乘以最小封裝面積?？梢詮臄?shù)據(jù)表中獲取相關(guān)信息來(lái)獲得 FOM；查看所提供的最小封裝來(lái)提供有關(guān)較小芯片面積的線索。
選擇具有最低 IQ 和最小可用封裝的器件，意味著可以實(shí)現(xiàn)良好的 IQ-面積效率。