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器件上的低頻噪聲還有一個(gè)額外的噪聲因子，它隨著積分時(shí)間的增加而更加明顯（參見圖 5-1）。由于這種效應(yīng)，噪聲實(shí)際上將接近 9ppm 的滿量程范圍 (150pC) ，或 1.35fC_rms。

相比之下，AFE0064 無法在單個(gè)積分區(qū)間內(nèi)處理 100ms 間隔；它會(huì)飽和。解決方案是在更短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行積分并將它們累加在一起。可能存在許多的積分區(qū)間，但在此示例中，我們將跳過優(yōu)化練習(xí)并選擇針對(duì) 5ms 進(jìn)行積分，這將導(dǎo)致最大電荷為 6pC，因此我們選擇了范圍 6 (7.2pC)。單個(gè)樣本的噪聲約為 2,040 個(gè)電子 (0.3fC_rms)，請(qǐng)參見圖 5-2。在 100ms 等效區(qū)間內(nèi)將 20 個(gè)連續(xù)樣本相加后的噪聲將為 √20 × 0.3fC_rms = 1.34fC_rms，結(jié)果與 DDC 非常相似。