ZHCAF71A April 2025 – June 2025 LMK3C0105-Q1
1 簡介
電磁干擾 (EMI) 是外部源對電路造成的不利干擾。EMI 可以分為傳導(dǎo)或輻射。傳導(dǎo) EMI 是由寄生阻抗、電源和接地連接引起的一種傳導(dǎo)耦合。輻射 EMI 是來自無線電傳輸?shù)臒o用信號的耦合。本報告重點討論輻射 EMI。
LMK3C0105-Q1 是一款時鐘發(fā)生器，最多能夠替換五個 LVCMOS 振蕩器 (XO)。該器件使用內(nèi)部 BAW 振蕩器作為基準(zhǔn)，同時使用兩個小數(shù)輸出分頻器，最多可應(yīng)用于兩個頻域（圖 1-1）。通過使用 BAW 技術(shù)，與石英振蕩器 (表 1-1) 相比，LMK3C0105-Q1 可以提供更高的靈活性和時鐘穩(wěn)定性。
圖 1-1 LMK3C0105-Q1 功能方框圖
表 1-1 BAW 對比石英振蕩器
| 參數(shù) | BAW 技術(shù) | 石英振蕩器技術(shù) |
|---|---|---|
| 頻率靈活性 | BAW 振蕩器器件通過件單個裸片支持多種頻率 | 頻率限制。不同頻率需要不同的晶體。 |
| 溫度穩(wěn)定性 | BAW 在 -40°C 到 +105°C 范圍內(nèi)的精度為 ±10ppm | ppm 穩(wěn)定性隨溫度升高而升高。 |
| 振動靈敏度 |
BAW 符合 MIL_STF_883F 方法 2002 條件 （典型值為 1ppb/g） |
通常不會通過 MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn) 可高達 >10ppb/g |
| 機械沖擊 | BAW 符合 MIL_STD_883F 方法 2007 條件 B |
通常不會通過 MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn) 可能會在 2,000g 時失敗 |
當(dāng)多個振蕩器被時鐘發(fā)生器（例如 LMK3C0105-Q1）替代時，通常需要更長的 PCB 布線才能到達各種終端器件。與使用多個振蕩器（可放置在靠近每個終端器件的位置）相比，使用更長的布線進行時鐘發(fā)生器布線會導(dǎo)致 EMI 性能變差。
本應(yīng)用手冊旨在減少 LMK3C0105-Q1 的 EMI 問題，并展示了可提高 EMI 性能的不同布局技術(shù)。