5 TI 具有智能柵極驅(qū)動功能的 BLDC 驅(qū)動器的優(yōu)勢

在驅(qū)動 MOSFET 時，一個重要的考慮因素是確定柵極充電的速度，因為它決定了 MOSFET 的壓擺時間。MOSFET 將漏極電壓連接到源極所需的電荷以及驅(qū)動器配置為提供該電荷的速率決定了 VDS（漏源電壓）壓擺率。VDS 壓擺發(fā)生在 MOSFET 柵極電荷的 Q_GD 部分期間。圖 5-1 展示了 MOSFET 的不同充電區(qū)域。通過增大柵極電流，MOSFET 能夠更快地開通和關(guān)斷，從而降低 MOSFET 的開關(guān)損耗。

圖 5-1 MOSFET 開通響應(yīng)

借助 TI 的智能柵極驅(qū)動 (SGD) 技術(shù)，用戶可以選擇開通/關(guān)斷 MOSFET 所需的峰值柵極驅(qū)動電流。有關(guān) SGD 的更多信息，請參閱了解智能柵極驅(qū)動應(yīng)用手冊。

TI 的大多數(shù) BLDC 驅(qū)動器分別提供 1A/2A 的峰值拉/灌柵極電流。SGD 提供許多不同的柵極電流調(diào)節(jié)級別，使驅(qū)動器能夠調(diào)節(jié) VDS 壓擺率，并使驅(qū)動器能夠與各種尺寸的 MOSFET 配合使用。

方程式 4 展示了如何計算實現(xiàn)所需壓擺時間所需的峰值柵極電流。

表 5-1 計算了為前面示例中所述的 MOSFET 實現(xiàn)所需壓擺率需要的峰值柵極電流。使用 SGD，用戶可以選擇最接近所需壓擺率的電流電平。