在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換中，盡管在開關(guān)斷開時 V × I 損耗非常接近理想值或零值，但在開關(guān)導(dǎo)通時，由于 MOSFET 的導(dǎo)通電阻，損耗會相當(dāng)大。這個特定的損耗項顯然是導(dǎo)通損耗。

導(dǎo)通損耗與轉(zhuǎn)換器中處理功率的時間段重合。與開關(guān)損耗不同，導(dǎo)通損耗與頻率無關(guān)。它確實取決于占空比。方程式 3 展示了 MOSFET 的導(dǎo)通損耗。

其中

• I_RMS 為開關(guān)電流的 RMS
• R_DS 為 MOSFET 的導(dǎo)通電阻

二極管導(dǎo)通損耗是降壓轉(zhuǎn)換器中的另一個主要導(dǎo)通損耗項。它等于 V_D × I_{D_AVG}，其中 V_D 是二極管正向壓降。I_{D_AVG} 是流經(jīng)二極管的平均電流，等于降壓轉(zhuǎn)換器的 I_O × (1-D)。它也與頻率無關(guān)。