ZHCADZ2A July 2019 – April 2024 TPS568230
MOSFET 的開關(guān)過程總是伴隨著電極間電容的充放電。通過控制驅(qū)動端子的柵極電壓，然后控制 MOSFET 的開關(guān)，這個過程中會產(chǎn)生驅(qū)動器損耗，具體如下：
其中
Qg 與有效輸入電容和柵極驅(qū)動電壓有關(guān)。方程式 4 展示了驅(qū)動器損耗與開關(guān)頻率成正比。