ZHCADZ2A July 2019 – April 2024 TPS568230
2.1 開關(guān)損耗
開關(guān)損耗與開關(guān)從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到關(guān)斷狀態(tài)以及從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)的過程相關(guān)聯(lián)。圖 2-1 是關(guān)于電感負(fù)載的完整開關(guān)過程。它顯示了漏極電流和漏極電壓隨時(shí)間的變化情況。Tcross 定義為電壓和電流完成瞬變所需??的時(shí)間?[2]。
圖 2-1 開關(guān)電感負(fù)載時(shí)的電壓和電流波形如圖 2-1 所示，電壓、電流和時(shí)間軸所包圍的區(qū)域就是 MOSFET 在轉(zhuǎn)換期間的功率損耗。單周期功率損耗可根據(jù)方程式 1 得出。
方程式 1.
其中
- VDSmax 是（關(guān)斷時(shí)）開關(guān)上的電壓
- IDmax 是（導(dǎo)通時(shí)）流過開關(guān)的電流
- Tcross 分別是導(dǎo)通和關(guān)斷期間的交叉時(shí)間
降壓轉(zhuǎn)換器在輸出側(cè)配有濾波電感器，因此符合上述開關(guān)損耗公式。方程式 2 展示了重復(fù)開關(guān)時(shí)的電感開關(guān)損耗。開關(guān)頻率越高，開關(guān)每秒改變狀態(tài)的次數(shù)就越大，因此這些損耗與開關(guān)頻率成正比。
方程式 2.
其中
- Vin 是輸入電壓
- fsw 是開關(guān)頻率