ZHCAD32 September 2023 LM251772 , LM5177 , LM51770 , LM51770-Q1 , LM51772 , LM51772-Q1
2.2 優(yōu)化功率級中的熱環(huán)路
確定電源布局的關(guān)鍵部分后，您的下一個任務(wù)是盡可能地減少任何噪聲源和不必要的寄生。輸入開關(guān)電流環(huán)路和輸出開關(guān)電流環(huán)路是主要的高電流環(huán)路。盡可能地減小這些環(huán)路的面積，以抑制產(chǎn)生的開關(guān)噪聲并優(yōu)化開關(guān)性能。
要盡可能縮小的最重要環(huán)路區(qū)域是以下兩個路徑：一個路徑從輸入電容器到降壓高側(cè)和低側(cè) MOSFET，再返回輸入電容器的接地連接；另一個路徑從輸出電容器到升壓高側(cè)和低側(cè) MOSFET 并返回到輸出電容器的接地連接。將電容器的負極端子連接到低側(cè) MOSFET（接地端）的源極附近。同樣，將一個或多個電容器的正極端子連接到兩個環(huán)路高側(cè) MOSFET 的漏極附近。
除了遵循上述建議外，還應(yīng)遵循 MOSFET 制造商建議的任何 MOSFET 布局注意事項，包括焊盤幾何形狀和焊錫膏模版設(shè)計。
圖 2-2 LM5177 四開關(guān)降壓/升壓器件中的熱環(huán)路