將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以盡可能地縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器布線，如此一來(lái)，與模擬和反饋信號(hào)以及電流檢測(cè)相關(guān)的分量便可以通過(guò)如下方式加以考慮：

• 分離電源和信號(hào)跡線，并使用接地平面來(lái)提供噪聲屏蔽。
• 將與 COMP、FB、SLOPE、SS/ATRK 和 RT 相關(guān)的所有敏感模擬布線和元件放置在遠(yuǎn)離如下高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn)的位置，以避免相互耦合：
  • SW1
  • SW2
  • HO1
  • HO2
  • LO1
  • LO2
  • HB1
  • HB2

• 使用內(nèi)部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來(lái)。
• 以差分對(duì)形式布放 CSA 和 CSB 以及 ISNSP 和 ISNSN 跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器。將這些檢測(cè)信號(hào)的濾波器元件放置在靠近控制器的位置，以更大限度地減少其后的噪聲拾取。
• 將上反饋電阻器和下反饋電阻器靠近 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到輸出電壓感測(cè)點(diǎn)上。