ZHCAD32 September 2023 LM251772 , LM5177 , LM51770 , LM51770-Q1 , LM51772 , LM51772-Q1
2.1 確定關(guān)鍵電路路徑
要獲得良好的布局，首先需要確定以下關(guān)鍵元件：
- 高 di/dt 環(huán)路或熱環(huán)路。
- 高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)。
- 敏感布線。
圖 2-1 確定高 di/dt 環(huán)路、高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)和敏感布線圖 2-1 展示了 LM5177 轉(zhuǎn)換器控制器中的高 di/dt 路徑。最主要的高 di/dt 環(huán)路是輸入開關(guān)電流環(huán)路和輸出開關(guān)電流環(huán)路。輸入環(huán)路由輸入電容器 (CIN) 和 MOSFET（Q1 和 Q2）組成。輸出環(huán)路由輸出電容器 (COUT) 和 MOSFET（Q3 和 Q4）及其返回路徑組成。
高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)是那些具有快速電壓轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)。這些節(jié)點(diǎn)包括開關(guān)節(jié)點(diǎn)（SW1 和 SW2）、啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)（HB1 和 HB2）和柵極驅(qū)動(dòng)布線（HO1、LO1、HO2 和 LO2）。開關(guān)節(jié)點(diǎn) SW1 和 SW2 的面積需要盡可能小。如果 SW1 和 SW2 覆銅區(qū)較大，高 dv/dt 噪聲信號(hào)可能會(huì)通過電容耦合特性耦合到附近的其他布線，從而引起電磁干擾問題。
從電阻器 RS 到集成電路 (IC) 引腳（CSA 和 CSB）的電流檢測(cè)跡線、輸入或輸出檢測(cè)跡線（ISNSP、ISNSN 和 FB）和控制組件（SLOPE、RCOMP、CCOMP 和 CHF）為噪聲敏感布線。
為了獲得良好的布局性能，應(yīng)優(yōu)化高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)的表面積，使噪聲敏感布線遠(yuǎn)離電路的嘈雜（高 di/dt 和高 dv/dt）部分，并盡可能減小其環(huán)路面積。